[发明专利]等离子体辅助式化学气相沉积装置

权利要求书

1.一种等离子体辅助式化学气相沉积装置，包括：

一制备腔室；

一上电极与一下电极，相对设置于该制备腔室内，用以产生一等离子体辅助式化学气相沉积反应，以将一薄膜材料沉积于一设置于该下电极上的基板上；以及

至少一图案化介质材料装置，设置于该下电极上，且该图案化介质材料装置与该基板的至少一边角相邻设置。

2.根据权利要求1所述的等离子体辅助式化学气相沉积装置，其中，该图案化介质材料装置的介电常数大于或等于该基板的介电常数。

3.根据权利要求1所述的等离子体辅助式化学气相沉积装置，其中，该图案化介质材料装置是设置于该基板与该下电极之间，且该图案化介质材料装置突出于该基板的该至少一边角。

4.根据权利要求3所述的等离子体辅助式化学气相沉积装置，其中，该图案化介质材料装置突出于该基板的至少一侧边。

5.根据权利要求1所述的等离子体辅助式化学气相沉积装置，其中，该图案化介质材料装置是于一水平方向与该基板的该至少一边角相邻设置。

6.根据权利要求5所述的等离子体辅助式化学气相沉积装置，其中，该图案化介质材料装置于该水平方向与该基板的至少一侧边相邻设置。

7.根据权利要求5所述的等离子体辅助式化学气相沉积装置，其中，该图案化介质材料装置是于该水平方向与该至少一边角的至少一部分重迭，且该图案化介质材料装置用以对该基板产生一固定位置效果。

8.根据权利要求1所述的等离子体辅助式化学气相沉积装置，其中，该薄膜材料包括非晶硅、非晶硅锗、氧化硅、氮化硅、微晶体硅或微晶体硅锗。

9.一种等离子体辅助式化学气相沉积装置，包括：

一制备腔室；

一上电极与一下电极，相对设置于该制备腔室内，用以产生一等离子体辅助式化学气相沉积反应，以将一薄膜材料沉积于一设置于该下电极上的基板上；以及

至少一图案化介质材料装置，设置于该下电极上；

其中该图案化介质材料装置是于一水平方向与该基板的该至少一边角相邻设置，该图案化介质材料装置是于该水平方向与该至少一边角的至少一部分重迭，且该基板于一垂直方向上与该图案化介质材料装置的至少一部分重迭。

10.根据权利要求9所述的等离子体辅助式化学气相沉积装置，其中，该图案化介质材料装置是用以对该基板产生一固定位置效果。