[发明专利]半导体热处理真空炉热场结构有效
| 申请号： | 201110105436.3 | 申请日： | 2011-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102184839A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 韩伶俐 | 申请（专利权）人： | 石金精密科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;F27D1/00;F27D11/00 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 热处理 真空炉 结构 | ||
1.一种半导体热处理真空炉热场结构，其特征在于，包括：
热场箱，位于真空炉内，包括箱体及箱盖，箱体一侧开口与箱盖密合，箱体与箱盖均为保温碳毡材料；
炉床，包括四个支撑脚，设置在所述热场箱底部；
装载台，放置在所述炉床的支撑脚上，包括两侧壁，所述侧壁上平行设有若干凹槽，该凹槽用于放置搁置工件的平板；
加热器，设置在所述装载台上方和/或下方，与外部电极连接。
2.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述箱体的内表面和/或开口边缘喷涂有耐高温涂料层。
3.根据权利要求2所述的热场结构，其特征在于，所述箱体的开口边缘在耐高温涂料层外包裹有碳碳复合材料层，所述碳碳复合材料层横截面为U型。
4.根据权利要求3所述的热场结构，其特征在于，所述碳碳复合材料层通过钼螺丝与箱体固定连接。
5.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述箱盖表面喷涂有耐高温涂料层。
6.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述箱体侧壁及顶部设有用于观察及通风通气的风窗。
7.根据权利要求6所述的热场结构，其特征在于，所述风窗的窗口边缘喷涂有耐高温涂料层；所述风窗的窗口边缘的耐高温涂料层外包裹有碳碳复合材料层，通过钼螺丝与箱体固定连接。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的热场结构，其特征在于，所述加热器包括：
连接架，位于所述装载台的上方和/或下方，并与箱体固定连接，包括相互平行的两侧杆；
若干加热棒，并排设置在所述连接架的两侧杆之间；
两电极，与外部电极连接，分别位于连接架的两侧杆的一端，并通过连接架与加热棒电连接为其通电。
9.根据权利要求8所述的热场结构，其特征在于，所述加热器为石墨材料制成。
10.根据权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述真空炉包括炉盖，所述箱盖固定在所述真空炉的炉盖上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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