[发明专利]硅穿孔结构及其形成方法

权利要求书

1.一种硅穿孔结构，包括：

晶片，包括第一面与第二面；

穿孔洞，连通该第一面与该第二面；

导电层，填满该穿孔洞中；

穿孔洞介电环，直接接触并围绕该导电层；

第一导电环，直接接触并围绕该穿孔洞介电环；以及

第一介电环，直接接触并围绕该第一导电环，并为该晶片所围绕。

2.如权利要求1的硅穿孔结构，其中该导电层电连接至核心电压且该第一导电环电连接至第一电压，其中该核心电压与该第一电压相同。

3.如权利要求1的硅穿孔结构，其中该导电层电连接至核心电压且该第一导电环电连接至第一电压，其中该核心电压与该第一电压不同。

4.如权利要求1的硅穿孔结构，其中该第一导电环用于屏蔽该导电层与该晶片间的交互作用。

5.如权利要求1的硅穿孔结构，其中该导电层具有核心导电材料且该第一导电环具有第一导电材料，其中该核心导电材料与该第一导电材料相同。

6.如权利要求1的硅穿孔结构，其中该导电层具有核心导电材料且该第一导电环具有第一导电材料，其中该核心导电材料与该第一导电材料不同。

7.如权利要求1的硅穿孔结构，还包括：

第二导电环，直接接触并围绕该第一介电环；以及

第二介电环，直接接触并围绕该第二导电环，并为该晶片所围绕。

8.如权利要求1的硅穿孔结构，其中该导电层为具有直径约为5-20微米的柱形结构。

9.如权利要求1的硅穿孔结构，还包括：

多层金属结构，位于该第一面上并包括第一导电结构、第二导电结构与第三导电结构；

第一导电环第一延伸部，由该第一导电结构所构成；

第一导电环第三延伸部，由该第三导电结构所构成；以及

导电层第二延伸部，由该第二导电结构所构成，其中该第一导电环第一延伸部与该第一导电环第三延伸部一起将该导电层第二延伸部夹置其中，以屏蔽该导电层延伸部。

10.如权利要求1的硅穿孔结构，其中该导电层第二延伸部具有弯折结构。

11.一种形成硅穿孔结构的方法，包括：

提供晶片，该晶片包括基底、第一面与第二面；

在该晶片中形成复合环状结构，该复合环状结构包括：

核心基底柱；

穿孔洞介电环，包括介电材料并直接接触并围绕该核心基底柱；

第一基底环，直接接触并围绕该穿孔洞介电环；以及

第一介电环，直接接触并围绕该第一基底环，并为该晶片所围绕；

经由该第二面薄化该晶片而暴露出该复合环状结构；

形成第二面介电层，覆盖该第二面并暴露该复合环状结构；

完全移除该核心基底柱内的该基底，使得该核心基底柱成为穿孔洞，其中该穿孔洞连通该第一面与该第二面；以及

使用核心导电材料填满该穿孔洞而得到该硅穿孔结构。

12.如权利要求11形成硅穿孔结构的方法，其中还包括：

在得到该硅穿孔结构后进行半导体工艺。

13.如权利要求11形成硅穿孔结构的方法，其中还包括：

在得到该硅穿孔结构前进行半导体工艺。

14.如权利要求11形成硅穿孔结构的方法，还包括：

完全移除该第一基底环而成为第一空心环；以及

并使用第一导电材料填满该第一空心环。

15.如权利要求14形成硅穿孔结构的方法，其中该核心导电材料与该第一导电材料相同。

16.如权利要求14形成硅穿孔结构的方法，其中该核心导电材料与该第一导电材料不同。

17.如权利要求11形成硅穿孔结构的方法，还包括：

形成第二导电环，直接接触并围绕该第一介电环；以及

形成第二介电环，直接接触并围绕该第二导电环，并为该晶片所围绕。

18.如权利要求11形成硅穿孔结构的方法，其中该导电层为具有直径约为5-20微米的柱形结构。