[发明专利]光接收器装置有效

专利信息
申请号: 201110105787.4 申请日: 2011-04-26
公开(公告)号: CN102761362A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 武智胜;泽田宗作;立岩义弘 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: H04B10/06 分类号: H04B10/06;H04B10/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 陈源;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 接收器 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种光接收器装置。

背景技术

存在对光接收器装置的高频特性进行改进的需要。日本专利申请公开第2007-274032号公开了一个光接收器装置的示例。图1示出了一个光接收器装置的电路结构示例。如图1所示,光接收器装置具有光接收元件10、TIA(转阻放大器)20等。信号光1光耦合到光接收元件10。光接收元件10的阳极耦接到TIA 20的输入端。光接收元件10的阴极耦接到正电源(例如,5V)。TIA 20具有放大器元件21和反馈电阻器R1。光接收元件10将光信号转换为电信号。TIA20将电信号电流转换为电压并输出该信号电压。

对光接收器装置的高频特性的需要正在逐年增长。

发明内容

本发明的目的是提供一种改进了高频特性的光接收器装置。

根据本发明的一个方面,提供了一种光接收器装置,其包括:光接收元件,其具有第一电极和第二电极,第一电极作为输出电极,第二电极耦接到不同于地电位的电位;放大器装置,其上表面上具有放大器元件、连接端,连接端包括信号电极和接地电极;第一导体,其将光接收元件的第一电极的电位耦接到信号电极,该第一导体从放大器装置的上表面侧引入;以及第二导体,其将光接收元件的第二电极的电位耦接到接地电极,该第二导体从放大器装置的上表面侧引入。

在所述光接收器装置中,将不同于地电位的电位耦接到光接收元件,并且所述光接收元件承受反向偏压。但是,考虑到相对于光接收元件的输出端(第一电极)的高频波,将电源电位作为基准电位。发明人已对此进行了研究。在本发明中,耦接到施加反向偏压的电源的电极(第二电极)从放大器装置上表面通过电容器耦接至构造了放大器装置的连接端的接地电极。使用该结构,可以改进光接收元件与放大器装置之间的传输特性。因此,可以改进光接收器装置的高频特性。

接地电极可以设置在信号电极的两侧。

光接收元件可以具有这样的结构,其中:两个光接收部分以级联耦接结构相耦接;第一电极可以是两个光接收部分的公共耦接点;以及第二电极可以是两个光接收部分中位于公共耦接点相对侧的电极中的至少一个。

光接收元件可以安装在这样的光接收元件载体上,该光接收元件载体具有提取第一电极电位的第一图案和提取第二电极电位的第二图案。

第二图案可以设置在第一图案的两侧;并且第一电容器可以设置在第二图案的两侧。

第一导体可以是使第一图案与信号电极耦接的接合线;而第二导体可以是使第二图案上的第一电容器与接地电极耦接的接合线。

公共耦接点相对侧的电极可以耦接到不同于地电位的电位。

公共耦接点相对侧的电极可以通过隔直流部分耦接到一起。

隔直流部分可以是第一电容器。

电容量大于第一电容器的电容量的第二电容器可以与第一电容器并联地耦接到第二电极的电位。

附图说明

图1示出了光接收器装置的电路图的示例;

图2A示出了光接收器装置的俯视图;

图2B示出了沿图2A的线A-A’所取的局部剖视图;

图3A示出了根据第一实施例的光接收器装置的俯视图;

图3B示出了沿图3A的线B-B’所取的局部剖视图;

图4示出了根据第二实施例的光接收器装置的电路图;

图5示出了根据第二实施例的光接收器装置的俯视图;

图6示出了根据第三实施例的光接收器装置的俯视图;

图7示出了根据第三实施例的光接收器装置的光电转换增益的频率特性;

图8示出了根据第四实施例的光接收器装置的俯视图;以及

图9示出了根据第五实施例的光接收器装置的俯视图。

具体实施方式

以下将给出对根据第一对比实施例的光接收器装置的描述。

[第一对比实施例]

图2A和图2B示出了根据第一对比实施例的光接收器装置的示意图。图2A示出了光接收器装置的俯视图。图2B示出了沿图2A的线A-A’所取的局部剖视图。

光接收元件10具有设置在半导体基底10-1的正面上的光接收元件台面(mesa)10-2(光接收部分)、设置在光接收台面10-2两侧的伪(dummy)台面10-3、以及设置在半导体基底10-1的反面上的透镜10-4。图2A示出了光接收元件台面10-2和伪台面10-3的电路图。

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