[发明专利]半导体工艺配方生成方法及系统有效

专利信息
申请号: 201110106674.6 申请日: 2011-04-27
公开(公告)号: CN102243670A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 郭训容;杨晓;吴仪 申请(专利权)人: 北京七星华创电子股份有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;H01L21/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100016 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 工艺 配方 生成 方法 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体工艺技术领域,尤其涉及一种半导体工艺配方生成方法及系统。

背景技术

集成电路(Integrated Circuit,IC)工艺流程中,受两方面因素影响,使得配方编辑复杂:其一,不同工艺阶段的设备所需配方的参数不相同;其二,晶片加工工艺的复杂性导致半导体工艺的配方很复杂。而快速、准确地生成配方文件是工艺过程中所必须的。IC工艺流程中,多种工艺在一个完整的芯片制造过程中会多次应用(如清洗工艺),其他IC处理工艺之前或之后几乎都需要对硅片进行清洗,如进入FAB厂前的抛光片清洗、铜工艺中通孔刻蚀后的清洗(Post Via EtchClean)、沟槽刻蚀后的清洗(Post Trench Etch Clean)、淀积前后的清洗(Pre and Post Deposit Clean)、以及在线电子质量测量后清洗(PostOL Electronic Quality Measurement Clean)等等。而不同阶段的清洗工艺使用的配方文件,除清洗腔室不同引起配方文件存在的差别外,配方文件格式大体相同。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明所要解决的技术问题是:提供一种可实现快速生成配方的半导体工艺配方生成方法及系统。

(二)技术方案

为解决上述问题,本发明提供了一种半导体工艺配方生成方法,该方法包括步骤:

S1.根据不同腔室的特征,对工艺配方进行动态配置,生成配置文件,并进行配方参数的约束设置;

S2.根据配置文件以及配方参数的约束设置,生成工艺配方文件。

其中,该方法还包括步骤:

S3.建立各配方文件间的关联关系,并将关联信息嵌入配置文件。

其中,所述配置文件中包括配方参数以及配方参数属性。

其中,所述配方参数包含药液配比以及控制信息。

其中,所述配方参数属性包括数据类型、单位、初始值以及数值范围。

其中,所述约束设置包括单个配方参数的约束设置以及配方参数间的约束设置。

本发明还提供了一种半导体工艺配方生成系统,该系统包括:配置文件生成模块,用于根据不同腔室的特征,对工艺配方进行动态配置,生成配置文件,并进行配方参数的约束设置;配方文件生成模块,用于根据配置文件以及配方参数的约束设置,生成工艺配方文件。

其中,其特征在于,该系统还包括:关联模块,用于建立各配方文件间的关联关系,并将关联信息嵌入配置文件。

(三)有益效果

本发明的方法及系统利用半导体工艺过程中某些流程的相同相似性,可实现快速生成以及检验配方。

附图说明

图1为依照本发明一种实施方式的半导体工艺配方生成方法流程图;

图2为依照本发明一种实施方式的半导体工艺配方生成方法中配方类型嵌套示意图;

图3为依照本发明一种实施方式的半导体工艺配方生成系统结构框图。

具体实施方式

本发明提出的半导体工艺配方生成方法及系统,结合附图和实施例说明如下。

本发明的方法及系统把工艺配方的生成,即编辑分成配置和编辑两个部分,以快速生成特定工艺要求的配方文件。配置阶段对单个配方参数进行数值类型、数值范围、单位以及初始值等属性进行基本配置生成配置文件,同时建立配方参数间的约束关系;编辑阶段根据配置阶段生成的配置文件和建立的配方参数约束关系,在编辑、保存与打开工艺配方操作时对工艺配方文件约束和检查。下面以半导体工艺中的清洗工艺为例,进一步说明本发明的方法及系统。

如图1所示,依照本发明一种实施方式的半导体工艺配方生成,即配方的编辑方法包括步骤:

S1.根据不同的清洗腔室具有的不同的特征,对工艺配方进行动态配置,生成配置文件,并根据配方参数间的只读和参数数值编辑限制进行配方参数的约束设置;

S2.根据配置文件以及配方参数的约束设置,生成工艺配方文件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110106674.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top