[发明专利]发光二极管封装结构无效

专利信息
申请号: 201110106766.4 申请日: 2011-04-27
公开(公告)号: CN102760817A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 蔡明达;陈靖中 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L25/075
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种发光二极管封装结构。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点,从而可作为光源而广泛应用于照明领域。

请参阅图1,其为现有技术中的一种发光二极管封装结构示意图。发光二极管封装结构100通常包括一基板110、设置在基板110上的多个发光二极管120以及覆盖在该多个发光二极管120上的封装层130。在一般情况下,多个发光二极管120为矩阵排列,但是由于发光二极管封装结构100的光强分布呈傅里叶积分分布,其中心区域的光强要大于边缘区域的光强,因此这种结构的发光二极管封装结构100具有出光强度不均匀的问题。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种出光均匀的发光二极管封装结构。

一种发光二极管封装结构,其包括基板及设置在基板上的第一发光模组和第二发光模组。所述第一发光模组包括多个第一发光二极管,所述第二发光模组包括多个第二发光二极管。所述多个第二发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置,并且所述第二发光二极管的出光强度大于所述第一发光二极管的出光强度。

上述的发光二极管封装结构将高出光强度的发光二极管围绕低出光强度的发光二极管设置,从而避免传统发光二极管封装结构的中间出光强度高,边缘出光强度低的现象,使整个发光二极管封装结构出光均匀。

附图说明

图1为现有技术中的发光二极管封装结构的俯视图。

图2为本发明第一实施方式中的发光二极管封装结构的俯视图。

图3为沿图2中所示的发光二极管封装结构的II-II方向的剖面图。

图4为本发明第二实施方式中的发光二极管封装结构的俯视图。

图5为本发明第三实施方式中的发光二极管封装结构的俯视图。

主要元件符号说明

发光二极管封装结构100、200、300、400基板110、210发光二极管120封装层130、240第一发光模组220第二发光模组230第三发光模组250顶面211底面212容置杯213第一发光二极管221第二发光二极管231第三发光二极管251

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