[发明专利]非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种非晶体硅膜的成膜方法，其用于在基底上形成包括非晶体硅膜的膜，其特征在于，

该成膜方法包括如下工序：

(1)对上述基底进行加热，使氨基硅烷系气体流经上述加热后的基底，在上述基底的表面形成晶种层；

(2)对上述基底进行加热，向上述加热后的基底的表面的晶种层供给不含氨基的硅烷系气体，使上述不含氨基的硅烷系气体热分解，从而在上述晶种层上形成非晶体硅膜。

2.根据权利要求1所述的非晶体硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述(1)工序中的上述基底的加热温度低于上述(2)工序中的上述基底的加热温度；

上述(1)工序中的用于形成上述晶种层的处理时间比上述(2)工序中的用于形成上述非晶体硅膜的处理时间短。

3.根据权利要求1所述的非晶体硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述晶种层的厚度为0.1nm～0.3nm。

4.根据权利要求3所述的非晶体硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述非晶体硅膜的厚度为50nm～100nm。

5.根据权利要求1所述的非晶体硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述氨基硅烷系气体是从包括丁基氨基硅烷、双叔丁基氨基硅烷、(二甲氨基)硅烷、二(二甲氨基)硅烷、三(二甲氨基)硅烷、二乙基氨基硅烷、双二乙基氨基硅烷、二丙基氨基硅烷以及二异丙基氨基硅烷中至少一种的气体选择的，

上述不含氨基的硅烷系气体是从包括SiH₂、SiH₄、SiH₆、Si₂H₄、Si₂H₆、以式Si_mH_2m+2表示的硅的氢化物以及以式Si_nH_2n表示的硅的氢化物中的至少一种的气体选择的，其中，m为3以上的自然数，n为3以上的自然数。

6.根据权利要求5所述的非晶体硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述以式Si_mH_2m+2表示的硅的氢化物是从Si₃H₈、Si₄H₁₀、Si₅H₁₂、Si₆H₁₄、Si₇H₁₆中的至少一种选择的，其中，m为3以上的自然数，

上述以式Si_nH_2n表示的硅的氢化物是从Si₃H₆、Si₄H₈、Si₅H₁₀、Si₆H₁₂、Si₇H₁₄中的至少任一种选择的，其中，n为3以上的自然数。

7.根据权利要求1所述的非晶体硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述非晶体硅膜的成膜方法用于半导体装置的制造工艺。

8.根据权利要求7所述的非晶体硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述非晶体硅膜用于填埋上述半导体装置内部的接触孔及/或线。

9.一种成膜装置，其用于在基底上形成非晶体硅膜，其特征在于，其包括：

处理室，其用于收容被处理体，该被处理体具有在其上形成上述非晶体硅膜的基底；

处理气体供给机构，其用于向上述处理室内供给处理所使用的气体；

加热装置，其用于对被收容在上述处理室内的上述被处理体进行加热；

排气机构，其用于对上述处理室内进行排气；

控制器，其用于控制上述处理气体供给机构、上述加热装置以及上述排气机构，

上述控制器控制上述处理气体供给机构、上述加热装置以及上述排气机构，以实施权利要求1所述的(1)工序和(2)工序。