[发明专利]用于高温合金单晶生长的螺旋选晶器的制备装置及方法有效
申请号: | 201110108170.8 | 申请日: | 2011-04-28 |
公开(公告)号: | CN102205391A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 王俊;洪建平;张佼;孙宝德;徐华苹;李建中 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | B22C7/02 | 分类号: | B22C7/02;B22C9/04;C30B29/52;C30B11/00;B22D27/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 高温 合金 生长 螺旋 选晶器 制备 装置 方法 | ||
1.一种用于高温合金单晶生长的螺旋选晶器的制备装置,包括:金属外模和金属内镶块,其特征在于:金属内镶块固定设置于金属外模内腔中;
所述的金属外模为水平分型结构,由上模板和下模板组成且内部中空,其中:上模板位于内金属内镶块顶部,下模板位于金属内镶块底部;
所述的金属内镶块共四块且分别转动设置于金属外模内部四个顶角。
2.根据权利要求1所述的用于高温合金单晶生长的螺旋选晶器的制备装置,其特征是,所述的上模板和下模板上均设有用于浇注选晶器的起晶段和过渡段。
3.根据权利要求2所述的用于高温合金单晶生长的螺旋选晶器的制备装置,其特征是,所述的起晶段为直型圆柱凹腔且直径为15-20mm,高度为20-30mm,过渡段为倒置锥台凹腔且高度为10-15mm。
4.根据权利要求1所述的用于高温合金单晶生长的螺旋选晶器的制备装置,其特征是,所述的四个金属内镶块之间连接,四个金属内镶块之间设有用于浇注选晶器的螺旋段。
5.根据权利要求4所述的用于高温合金单晶生长的螺旋选晶器的制备装置,其特征是,所述的螺旋段以螺旋旋转中心为法线方向十字剖开的四个镶块组成的空间螺旋结构,旋转角度为360°-720°,螺旋升角为15°-35°。
6.一种根据上述任一权利要求所述装置的螺旋选晶器制备方法,其特征在于,通过分别将下模板和上模板固定于注蜡机底座上和液压柱下并合模压紧进行注蜡,待注蜡完成后由液压柱抬起上模板,将金属内镶块和蜡模一起取出,分别按顺序45°方向分离四块金属内镶块即可得到螺旋选晶器蜡模。
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