[发明专利]半导体封装结构与其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110108275.3 申请日: 2011-04-28
公开(公告)号: CN102683546A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 吴上义;钱文正;蔡佳伦;黄田昊 申请(专利权)人: 联京光电股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 史霞
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构 与其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,包括:

一半导体晶粒;

一导热薄膜,所述导热薄膜设置于所述半导体晶粒的底部;

一基板,所述基板主要是由导电材质或半导体材质所构成,于所述基板上设置有一第一孔穴,所述第一孔穴是贯穿所述基板,所述半导体晶粒是放置在所述第一孔穴中;

多个导电图案,这些导电图案是分布于所述基板上,且这些导电图案彼此并不互相电性连接,且所述导电图案与所述基板并不互相电性连接;及

至少一绝缘体,所述绝缘体连接于所述半导体晶粒与所述基板之间;

其中,所述半导体晶粒与所述导电图案电性连接。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述半导体晶粒为发光二极管、雷射二极管、太阳能二极管、逻辑IC、内存IC、模拟IC、或CMOS影像感测组件。

3.如权利要求1或2所述的半导体封装结构,还包括多个绝缘薄膜图案,其中所述导电图案为导电薄膜图案,所述导电薄膜图案是分布在所述基板的表面上,而所述绝缘薄膜图案则位于所述导电薄膜图案与所述基板之间。

4.如权利要求3所述的半导体封装结构,其中所述基板具有多个第二孔穴,于所述第二孔穴的表面上分布有所述导电薄膜图案与所述绝缘薄膜图案。

5.如权利要求3所述的半导体封装结构,其中于所述基板的侧壁上是分布有所述导电薄膜图案与所述绝缘薄膜图案。

6.如权利要求1或2所述的半导体封装结构,其中所述基板具有多个第二孔穴,而所述导电图案为导电块,这些导电块是设置于所述第二孔穴中,且所述绝缘体的个数为多个并分别连接于所述半导体晶粒与所述基板之间及所述基板与所述导电块之间。

7.如权利要求6所述的半导体封装结构,其中所述导电图案还包括多个导电薄膜图案,这些导电薄膜图案是覆盖于所述导电块的上表面与下表面上。

8.如权利要求1或2所述的半导体封装结构,其中所述半导体晶粒的厚度约等于所述基板的厚度。

9.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述导热薄膜与所述多个导电图案中的一个导电图案电性相连。

10.如权利要求1或2所述的半导体封装结构,其中所述绝缘体的材质为聚亚酰胺、防焊漆、或永久性光阻。

11.如权利要求1或2所述的半导体封装结构,其中于所述第一孔穴的孔壁上分布有一金属反射层。

12.如权利要求1或2所述的半导体封装结构,其中所述基板主要是由铜、铝或含以上任一成分的合金所构成。

13.如权利要求1或2所述的半导体封装结构,其中所述导电图案主要是由铜、镍、金、和银或含以上任一成分的合金所构成。

14.一种半导体封装结构的制造方法,包括:

(a)提供一基板,所述基板主要是由导电材质或半导体材质所构成,于所述基板上设置有一第一孔穴,所述第一孔穴是贯穿所述基板;

(b)将一半导体晶粒置入于所述第一孔穴中;

(c)于所述半导体晶粒与所述基板之间涂布一绝缘体;

(d)于所述基板上形成多个导电图案,这些导电图案彼此并不互相电性连接;

(e)形成一导热薄膜,所述导热薄膜位于所述半导体晶粒的底部;及

(f)使所述半导体晶粒与所述导电图案电性连接。

15.如权利要求14所述的半导体封装结构的制造方法,其中所述半导体晶粒为发光二极管、雷射二极管、太阳能二极管、逻辑IC、内存IC、模拟IC、或CMOS影像感测组件。

16.如权利要求14或15所述的半导体封装结构的制造方法,其中所述基板还包括多个第二孔穴,于(b)步骤前,还包括下述步骤:

将多个绝缘薄膜图案形成于所述基板的表面与所述第二孔穴的表面上;

而且,于(d)步骤中,所述导电图案为导电薄膜图案,所述导电薄膜图案是分布在所述绝缘薄膜图案上。

17.如权利要求16所述的半导体封装结构的制造方法,其中所述绝缘薄膜图案是利用电镀法、电泳法、或电化学沉积法而形成。

18.如权利要求16所述的半导体封装结构的制造方法,其中所述导电薄膜图案与所述导热薄膜是同时形成。

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