[发明专利]一种晶体管检测电路

权利要求书

1.一种晶体管检测电路，其特征在于，所述晶体管检测电路包括：

无稳态自激多谐振荡器、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、开关元件、发光二极管H1和发光二极管H2；

所述无稳态自激多谐振荡器的输入端接电池正极，所述无稳态自激多谐振荡器的接地端接电池负极，所述无稳态自激多谐振荡器的输出端接电阻R5的第一端，所述电阻R5的第二端接二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极接开关元件的控制端，所述开关元件的输入端接电池正极，所述开关元件的输出端接发光二极管H1的阳极，所述发光二极管H1的阴极接电阻R6的第一端，所述发光二极管H2的阳极接电池正极，所述发光二极管H2的阴极接接电阻R7的第一端，所述电阻R6的第二端为晶体管检测电路的第一检测端，所述电阻R7的第二端为晶体管检测电路的第二检测端，所述晶体管检测电路的第三检测端接电池负极。

2.如权利要求1所述的晶体管检测电路，其特征在于，所述无稳态自激多谐振荡器包括：

电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电解电容C1、电解电容C2、NPN型三极管VT1和NPN型三极管VT2；

所述电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4的第一端为无稳态自激多谐振荡器的输入端同时接电池正极，所述电解电容C1的正极接电阻R1的第二端，所述电解电容C1的负极接电阻R2的第二端，所述电解电容C2的正极接电阻R4的第二端，所述电解电容C2的负极接电阻R3的第二端，所述NPN型三极管VT1的基极接电阻R3的第二端，所述NPN型三极管VT1的集电极接电阻R1的第二端，所述NPN型三极管VT1的发射极接电池负极，所述NPN型三极管VT2的基极接电阻R2的第二端，所述NPN型三极管VT2的集电极接电阻R4的第二端，所述NPN型三极管VT2的发射极接电池负极，所述NPN型三极管VT2的集电极为无稳态自激多谐振荡器的输出端。

3.如权利要求1所述的晶体管检测电路，其特征在于，所述开关元件采用NPN型三极管VT3，所述NPN型三极管VT3的集电极为开关元件的输入端，所述NPN型三极管VT3的基极为开关元件的控制端，所述NPN型三极管VT3的发射极为开关元件的输出端。

4.如权利要求1所述的晶体管检测电路，其特征在于，所述开关元件采用MOS管Q1，所述MOS管Q1的漏极为开关元件的输入端，所述MOS管Q1的栅极为开关元件的控制端，所述MOS管Q1的源极为开关元件的输出端。

5.如权利要求1所述的晶体管检测电路，其特征在于，所述晶体管检测电路还包括开关S1，所述开关S1的第一端接电池正极，所述开关S1的第二端同时接发光二极管H2的阳极、开关元件的输入端和无稳态自激多谐振荡器的输入端。