[发明专利]形成光刻图案的方法有效

专利信息
申请号: 201110108960.6 申请日: 2011-03-07
公开(公告)号: CN102338982A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 姜锡昊;C·科尔特 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/004;G03F7/038
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 形成 光刻 图案 方法
【权利要求书】:

1.一种形成光刻图案的方法,所述方法包括:

(a)提供在其表面上具有一个或多个将被图案化的层的基板;

(b)在该一个或多个将被图案化的层上施加光致抗蚀剂组合物层,该光致抗蚀剂组合物包括具有酸解离基团的树脂和光酸产生剂;

(c)在光化辐射下图案化曝光该光致抗蚀剂组合物层;并且

(d)在光致抗蚀剂组合物层上施加显影剂,其中光致抗蚀剂组合物层中的未曝光区域被显影剂去除,在一个或多个将被图案化的层上形成光致抗蚀剂图案,其中该显影剂包括2-庚酮和/或5-甲基-2-己酮。

2.如权利要求1所述的方法,进一步包括:将光致抗蚀剂图案转移到位于光致抗蚀剂掩模下方的一个或多个层上,其中,通过蚀刻工艺进行图案转移,并且该方法在施加显影剂和蚀刻步骤之间不需要进行显影后的清洗。

3.如权利要求1所述的方法,其中所述显影剂包括2-庚酮。

4.如权利要求1所述的方法,其中所述显影剂包括5-甲基-2-己酮。

5.如权利要求1所述的方法,进一步包括:在第一图案化曝光之后并且施加显影剂之前将光致抗蚀剂组合物层在光化辐射下进行第二图案化曝光,其中第二图案化曝光的图案与第一图案化曝光的图案不相同。

6.如权利要求1所述的方法,其中显影剂包括溶剂的混合物。

7.通过权利要求1中所述的方法形成的电子器件。

8.一种涂覆的基板,所述涂覆的基板包括:

基板,该基板包括在其表面上的将被图案化的一个或多个层;

位于该一个或多个将被图案化的层上的光致抗蚀剂组合物的曝光层,该光致抗蚀剂组合物包括具有酸解离基团的树脂和光酸产生剂;以及

与该光致抗蚀剂组合物的曝光层相接触的显影剂溶液,其中该显影剂包括2-庚酮和/或5-甲基-2-己酮。

9.如权利要求8所述的涂覆的基板,其中显影剂包括2-庚酮。

10.如权利要求8所述的涂覆的基板,其中显影剂包括5-甲基-2-己酮。

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