[发明专利]将薄膜层连续地间接淀积在衬底上的气相淀积设备和过程

权利要求书

1.一种用于将升华的源材料作为薄膜间接气相淀积在光电(PV)模块衬底(14)上的设备(100)，所述设备包括：

淀积头(110)，构造成以便使供应至该淀积头(110)的源材料升华；

设置在所述淀积头的下方的转移装置(160)，升华的源材料镀到该转移装置(160)上；

衬底传送器(166)，构造成沿着通过所述设备的传送路径传送衬底；

所述转移装置可运动到与所述衬底的上表面相对的位置；以及，

热源(168)，构造成邻近所述转移装置；

其中，最初镀到所述传输装置上的源材料被升华且被转移到所述衬底传送器传送的衬底的上表面。

2.根据权利要求1所述的设备(100)，其特征在于，所述转移装置包括设置在所述淀积头(110)的下方且能够在环状回路中、上支段(162)和下支段(164)之间运动的传输传送器(160)，所述传输传送器包括上表面，当所述传输传送器在所述上支段中运动时升华的源材料镀到该上表面上，所述衬底传送器(166)设置在所述下支段(164)的下方，并且所述热源(168)构造成邻近所述下支段。

3.根据权利要求2所述的设备(100)，其特征在于，所述传输传送器(160)进一步包括顶部部件(210)，所述顶部部件在所述上支段(162)中限定了敞开式淀积区域(212)，所述源材料在所述敞开式淀积区域(212)内镀到所述传输传送器上，所述敞开式淀积区域限定了所述衬底上的源材料的最终表面区域。

4.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的设备(100)，其特征在于，所述衬底传送器(166)包括具有限定了所述传送路径的上支段(162)的环状回路传送器。

5.根据权利要求1至4中任一项权利要求所述的设备，其特征在于，所述衬底传送器(166)构造成与所述转移传送器(160)的所述下支段(164)直接相对，在所述衬底传送器(166)承载的衬底(14)的上表面和所述传输传送器的所述下支段之间没有居中结构。

6.根据权利要求5所述的设备(100)，其特征在于，升华的源材料的从所述传输传送器(160)的所述下支段(164)到所述衬底(14)的所述上表面的扩散长度为约2mm至约50mm。

7.一种用于将升华的源材料的薄膜间接气相淀积到光电(PV)模块衬底(14)上的过程，所述过程包括：

使源材料在淀积头(110)中升华；

将升华的源材料镀到设置在所述淀积头的下方的转移装置(160)上；

使所述转移装置运动到邻近衬底传送器(166)的位置；以及，

使所述源材料从所述转移装置上升华，且使得升华的源材料转移到所述衬底传送器承载的衬底的表面上。

8.根据权利要求7所述的过程，其特征在于，所述转移装置为传输传送器(160)，并且所述过程进一步包括使所述传输传送器在环状回路路径中、上支段(162)和下支段(164)之间运动，以及使所述衬底传送器(166)在邻近所述下支段的传送路径中运动。

9.根据权利要求8所述的过程，其特征在于，所述过程进一步包括沿着所述下支段(164)加热所述传输传送器(160)，以使镀在其上的所述源材料升华，以及在所述加热之后且在所述传输传送器运动到所述上支段(162)之前冷却所述传输传送器。

10.根据权利要求7所述的过程，其特征在于，所述过程进一步包括在与所述源材料被转移到所述衬底(14)的所述表面上相同的表面区域中将升华的源材料镀到所述转移装置(160)上。