[发明专利]防止积留水液的热氧化系统和方法有效
申请号: | 201110109430.3 | 申请日: | 2011-04-25 |
公开(公告)号: | CN102760640A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 李春龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/316;H01L21/02 |
代理公司: | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 积留水液 氧化 系统 方法 | ||
1.一种热氧化系统,包括:
反应炉,用于湿法氧化制备氧化硅;
水汽产生室,原料气体在所述水汽产生室内反应生成水汽,通过管道输送进入所述反应炉;
原料气体进气管道,用于向所述水汽产生室提供所述原料气体;
载气进气管道,用于向所述反应炉提供所述载气;
加热器,耦合至所述原料气体进气管道,用于加热所述原料气体以促使其反应生成水汽;
其特征在于,还包括加热装置,耦合至所述载气进气管道。
2.如权利要求1所述的热氧化系统,其中,所述原料气体为氧气和氢气。
3.如权利要求1所述的热氧化系统,其中,所述加热器将所述原料气体加热至700℃。
4.如权利要求1所述的热氧化系统,其中,所述加热装置为所述加热器。
5.如权利要求1所述的热氧化系统,其中,所述加热装置为所述原料气体进气管道与所述载气进气管道构成的热交换机制。
6.如权利要求1所述的热氧化系统,其中,所述加热器为非燃烧式加热器。
7.如权利要求1所述的热氧化系统,其中,所述载气为氮气。
8.如权利要求1所述的热氧化系统,其中,所述加热装置将所述载气加热至100℃以上。
9.一种热氧化方法,用于湿法氧化制备氧化硅,包括:
向反应炉内输送载气;
向水汽产生室输送经过加热的原料气体,反应生成高温水汽;
加热所述载气;
向所述反应炉内同时输送所述原料气体和所述载气。
10.如权利要求9所述的方法,其中,加热所述载气至100℃以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造