[发明专利]紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法

权利要求书

1.一种紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，其特征在于，通过将石墨烯溶液旋涂于云母片上，经干燥得到氧化石墨烯/云母薄膜，经紫外光照射后制备得到单层石墨烯的量子点薄膜。

2.根据权利要求1所述的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，其特征是，所述的石墨烯溶液是通过将氧化石墨分散于去离子水中并经超声分散处理得到。

3.根据权利要求1所述的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，其特征是，所述的氧化石墨是通过改进的Hummer法制备得到。

4.根据权利要求1或3所述的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，其特征是，所述的氧化石墨通过以下方式制备得到：

1)在室温下将500目的颗粒状天然石墨和硝酸钠置于冰盐浴中冷却至0℃以下后，缓慢加入98％浓硫酸并充分搅拌，然后在1h内将高锰酸钾分批加入浓硫酸中并保持搅拌，每一次加入浓硫酸的高锰酸钾为2g～3g，每次加入的时间间隔为20min，加入时保持在低于20℃的冷浴环境下进行搅拌，完成后用水浴加热至35±3℃，充分反应2h后加入去离子水，得到褐色悬浮液；

2)将得到的褐色悬浮液继续反应15分钟，然后向悬浮液中加入30％双氧水和去离子水的混合液，得到亮黄色悬浮液；

3)将亮黄色悬浮液过滤后得到黄褐色的滤饼，将滤饼进行3％酸洗处理后，分散于水中，经转速为4000rpm离心20分钟处理，将得到的氧化石墨凝胶，将氧化石墨凝胶于40℃，真空的环境下干燥24h得到氧化石墨固体。

5.根据权利要求1所述的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，其特征是，所述的干燥是指：在真空干燥箱内40～100℃干燥保存。

6.根据权利要求1所述的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，其特征是，所述的云母片为新解离的云母片。

7.根据权利要求1所述的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，其特征是，所述的紫外光照射是指：在密闭的紫外灯小室内采用功率在80～200W、主波长为275nm或372nm的紫外灯进行照射1～60min，制成单层石墨烯的量子点薄膜。

8.根据权利要求1或7所述的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，其特征是，所述的紫外光照射的过程中控制氧化石墨烯/云母薄膜与紫外灯之间的光路距离为5～10cm。

9.一种单层石墨烯的量子点薄膜，其特征在于，根据上述任一权利要求所述方法制备得到。