[发明专利]太阳电池、太阳电池组件及其制备方法无效
申请号: | 201110110004.1 | 申请日: | 2011-04-29 |
公开(公告)号: | CN102760778A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 周杰;温建军;蔡昭;周豪浩;王玉林;臧智毅;艾凡凡;刘皎彦;杨健;陈如龙;严婷婷;唐应堂;张光春 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/18;H01L31/05 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霁晨;高为 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 组件 及其 制备 方法 | ||
1.一种金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,包括:
电池衬底,包括位于其背面的第一导电类型区域和位于其正面的第二导电类型区域,所述第二导电类型区域与所述第一导电类型区域形成PN结;
多个通孔,其穿过所述电池衬底,且所述通孔内表面的导电类型为第一导电类型;
副栅电极,其设置于所述电池衬底正面;
多行/列主栅电极,其设置于所述电池衬底背面并通过所述电池衬底中的通孔与所述副栅电极电性连接;
背电场,其设置于所述电池衬底背面;
多行/列背电极,其用于输出所述背电场所收集的电流并用于封装成组件时所述太阳电池之间的互连;以及
第一绝缘介质层,其设置于所述电池衬底的背面;
其中,所述主栅电极与所述电池衬底的接触为非欧姆接触,或者所述主栅电极与所述电池衬底之间还设置有第二绝缘介质层;
多行/列主栅电极以及多行/列背电极之间相互基本平行设置,每行/列主栅电极沿与其平行的电池衬底的中心线与相应一行/列背电极对称排布;
两个所述太阳电池之间可操作地通过互连条连接,所述第一绝缘介质层用于防止所述互连条同时电性连接于同一所述太阳电池的所述主栅电极和所述背电场。
2.如权利要求1所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述主栅电极与所述电池衬底的接触为非欧姆接触时,所述主栅电极通过玻璃料含量基本为0的浆料印刷并烧结形成。
3.如权利要求1所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述主栅电极与所述电池衬底之间设置有第二绝缘介质层时,所述主栅电极通过银浆印刷并烧结形成,所述第二绝缘介质层是所述银浆与所述电池衬底在所述烧结过程中形成。
4.如权利要求3所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述银浆为含有玻璃料的银浆,所述第二绝缘介质层是烧结过程中形成的玻璃介质层。
5.如权利要求1所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述第二绝缘介质层是通过在所述通孔内表面上以及在所述第一导电类型区域的背面上构图印刷形成的,所述第二绝缘介质层的边缘部分延伸超出主栅电极与电池衬底的接触区域。
6.如权利要求1所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,每行/列所述主栅电极被分段设置。
7.如权利要求1所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述通孔在所述副栅电极上等间距地设置,分别位于m条所述副栅电极上的m个通孔基本在一条直线上按行/列排列,其中,m为大于或等于3的整数。
8.如权利要求1或6或7所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述太阳电池还包括设置于所述电池衬底正面的通孔连接线,所述通孔连接线连接按行/列排列的所述通孔。
9.如权利要求8所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,在所述通孔连接线上、相邻的所述副栅电极之间还设置有一个或一个以上通孔。
10.如权利要求8所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述通孔连接线的线宽范围为100微米至1毫米。
11.如权利要求7所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述副栅电极的条数为n,n大于m,按行/列排列的所述m个通孔在n条副栅电极上非连续排列。
12.如权利要求1所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述主栅电极中设置镂空区域。
13.如权利要求1所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述背电场为铝或者铝合金材料,所述背电场与所述第一导电类型区域形成欧姆接触。
14.如权利要求1所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述太阳电池还包括形成于所述电池衬底正面的减反射层。
15.如权利要求1所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述主栅电极和背电极同时丝网印刷或钢网印刷而成。
16.如权利要求1所述的金属绕穿型背接触太阳电池,其特征在于,所述第一绝缘介质层为带状,所述第一绝缘介质层位于所述行/列主栅电极与所述背电场之间的电池衬底上并且部分地覆盖所述主栅电极的边沿及部分所述背电场。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的