[发明专利]一种单分散纳米二氧化硅的化学沉淀法生产工艺

权利要求书

1.本发明是一一种单分散纳米二氧化硅的化学沉淀法生产工艺，包括如下步骤：

步骤一，将水和乙醇按一定的物质的量比在烧杯中混合；

步骤二，向步骤一得到的溶液中加入一定量的表面活性剂聚乙二醇并剧烈搅拌；

步骤三，向步骤二得到的溶液中加入一定量的正硅酸乙酯，剧烈搅拌下充分混合；

步骤四，将步骤三得到的溶液升温到一定温度，并持续搅拌一定的时间；

步骤五，向步骤四得到的溶液中缓慢滴加一定量的氨水，反应一段时间得到沉淀物；

步骤六，将步骤五得到的沉淀反复醇洗、离心；

步骤七，将步骤六得到的沉淀在一定温度下恒温干燥一定时间，即得到所需产品纳米二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的一一种单分散纳米二氧化硅的化学沉淀法生产工艺，其特征在于步骤一中，水和乙醇的比例为1∶5-1∶8。

3.根据权利要求1所述的一一种单分散纳米二氧化硅的化学沉淀法生产工艺，其特征在于步骤二中，聚乙二醇的用量为乙醇用量的1％-5％。

4.根据权利要求1所述的一一种单分散纳米二氧化硅的化学沉淀法生产工艺，其特征在步骤三中，正硅酸乙酯的用量为乙醇用量的10％-15％。

5.根据权利要求1所述的一一种单分散纳米二氧化硅的化学沉淀法生产工艺，其特征在于步骤四中，温度为30-45℃，搅拌时间为10min-20min。

6.根据权利要求1所述的一一种单分散纳米二氧化硅的化学沉淀法生产工艺，其特征在于步骤五中，氨水的用量为2mol-4mol，反应时间为20min-40min。

7.根据权利要求1所述的一种单分散纳米二氧化硅的化学沉淀法生产工艺，其特征在于步骤七中，干燥时间为2h-4h。