[发明专利]发光元件结构及其制作方法有效
申请号: | 201110110088.9 | 申请日: | 2011-04-29 |
公开(公告)号: | CN102760811A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 赖彦霖;李玉柱;李允立 | 申请(专利权)人: | 新世纪光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种发光元件结构,包括:
基板,具有表面与数个间隔排列且凸起该表面的弧形凸起部,且该些弧形凸起部分别具有弧形曲面,其中该些弧形曲面与该表面连接,且各该些弧形曲面相对于该表面的斜率绝对值随着靠近该基板的方向上递增;以及
磊晶体,配置于该基板的该表面与该些弧形凸起部上,且该磊晶体与该些弧形凸起部相配合而界定出数个环形间隙,其中各该些环形间隙环绕各该些弧形凸起部。
2.根据权利要求1所述的发光元件结构,其中该磊晶体实体连接该些弧形凸起部的局部区域,而该磊晶体与各该些弧形凸起部未实体连接并保持空隙的部分构成该些环形间隙。
3.根据权利要求1所述的发光元件结构,其中各该些环形间隙占据该各该些弧形曲面的表面积的比例落在20%至80%之间。
4.根据权利要求1所述的发光元件结构,其中任二相邻的该些弧形凸起部的顶部的距离落在1.5μm至6μm之间。
5.根据权利要求1所述的发光元件结构,其中各该些弧形凸起部的宽度与高度的比例落在75%至200%之间。
6.根据权利要求1所述的发光元件结构,其中各该些弧形凸起部的高度落在1.4μm至1.6μm之间。
7.根据权利要求1所述的发光元件结构,其中该基板包括蓝宝石(sapphire)基板、碳化硅(SiC)基板或硅(Si)基板。
8.根据权利要求1所述的发光元件结构,其中该磊晶体的材质包括III族及V族元素的半导体化合物。
9.一种发光元件结构的制作方法,包括:
提供基板,其中该基板具有表面与数个间隔排列且凸起该表面的弧形凸起部,该些弧形凸起部分别具有与该表面连接的弧形曲面,且各该些弧形曲面相对于该表面的斜率绝对值随着靠近该基板的方向上递增;以及
形成磊晶体于该基板的该表面与该些弧形凸起部上,其中该磊晶体与该些弧形凸起部相配合而界定出数个环形间隙,且各该些环形间隙环绕各该些弧形凸起部。
10.根据权利要求9所述的发光元件结构的制作方法,其中形成该磊晶体于该基板的方法包括:
形成第一型半导体层于该基板上;
形成发光层于该第一型半导体层上;以及
形成第二型半导体层于该发光层上。
11.根据权利要求10所述的发光元件结构的制作方法,其中形成该第一型半导体层于该基板的方法包括:
依序于第一时间内及第二时间内将该第一型半导体层磊晶于该基板上,以使该第一型半导体层与该些弧形凸起部相配合而界定出该些环形间隙,其中于该第一时间内,纵向的磊晶速度大于横向的磊晶速度,而于该第二时间内,横向的磊晶速度大于纵向的磊晶速度。
12.根据权利要求9所述的发光元件结构的制作方法,其中各该些环形间隙占据该各该些弧形曲面的表面积的比例落在20%至80%之间。
13.根据权利要求9所述的发光元件结构的制作方法,其中任二相邻的该些弧形凸起部的顶部的距离落在1.5μm至6μm之间。
14.根据权利要求9所述的发光元件结构的制作方法,其中各该些弧形凸起部的宽度与高度的比例落在75%至200%之间。
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