[发明专利]一种用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法

权利要求书

1.一种用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法，其特征在于，包括：

将待测样品制备成透射电镜样品；

对透射电镜样品进行电子能量损失谱测量，获得碳元素分布；

将所得数据经过数学运算和拟合，获得与碳元素分布一一对应的薄膜的介电常数参数；

用该工艺后获得的碳元素分布或由拟合后获得的薄膜介电常数参数来表征该薄膜在某一工艺的受损情况，并且，经过多次数据积累建立拟合公式和数据库，在不进行电学测试的情况下，预知性地给出最终的薄膜介电常数参数。

2.根据权利要求1所述的用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法，其特征在于，所述待测样品为已形成互连结构但尚未进行金属填充的芯片结构。

3.根据权利要求2所述的用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法，其特征在于，所述已形成互连结构但尚未进行金属填充的芯片结构是通过在化学气相沉积的薄膜上进行光刻、刻蚀、去胶、后清洗过程后获得的。

4.根据权利要求2所述的用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法，其特征在于，所述互连结构包括沟形、槽形和孔形。

5.根据权利要求4所述的用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法，其特征在于，所述透射电镜样品厚度为50~200nm。

6.根据权利要求4所述的用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法，其特征在于，所述透射电镜样品长度为2~20μm。

7.根据权利要求1所述的用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法，其特征在于，所述透射电镜样品的制备方法包括采用聚焦离子束进行切割。

8.根据权利要求7所述的用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法，其特征在于，所述透射电镜样品的制备方法还包括离子抛光减薄。

9.根据权利要求1所述的用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法，其特征在于，所述碳元素分布为碳元素的一维线分布或二维区域分布。