[发明专利]通信设备、腔体滤波器、谐振杆及其制造方法

权利要求书

1.一种腔体滤波器，所述腔体滤波器包括腔体以及容置于所述腔体内的谐振杆，其特征在于，所述谐振杆采用氮化硅制成，所述谐振杆表面具有金属层。

2.根据权利要求1所述的腔体滤波器，其特征在于，所述谐振杆安装在腔体内底部。

3.根据权利要求1所述的腔体滤波器，其特征在于，所述腔体滤波器还包括盖设于所述腔体上的盖板，所述谐振杆安装在盖板上。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的腔体滤波器，其特征在于，所述金属层为为银层或者铜层，或者从氮化硅谐振杆表面层起依次为铜层、银层。

5.一种通信设备，其特征在于，其包括根据权利要求1至4任意一项所述的腔体滤波器，所述腔体滤波器设于所述通信设备的信号收/发电路部分，用于对信号进行选择。

6.一种谐振杆，用于安装在腔体滤波器上，其特征在于，所述谐振杆采用氮化硅制成，所述谐振杆表面具有金属层。

7.一种谐振杆的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

对氮化硅材料进行谐振杆成型加工；

对所述成型后的谐振杆作表面金属化处理。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述对氮化硅材料进行谐振杆成型加工的过程包括：

以氮化硅粉末或颗粒作为原料进行配料；

对所述氮化硅粉末或者颗粒进行球磨以粉碎氮化硅；

将上述球磨后的氮化硅进行造粒处理，经过干燥、加黏胶剂，制成颗粒状氮化硅；

将上述造粒处理的氮化硅颗粒放入模具型腔中，然后闭模加压对氮化硅颗粒进行模压成型处理；

将上述的模压成型后的氮化硅谐振杆进行高温烧结处理，使氮化硅谐振杆成为致密体。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述的表面金属化处理方式包括化学镀或者先化学镀后电镀或者真空镀或者浸渍处理。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述表面金属化处理的步骤为镀铜或者镀银或者先镀铜后镀银。

11.根据权利要求7-10任意一项所述的谐振杆的制造方法，其特征在于，对氮化硅材料进行谐振杆成型加工之后，对所述成型后的谐振杆作表面金属化处理之前还包括：对所述谐振杆进行精加工。