[发明专利]一种多合体功率放大器及其实现方法无效
| 申请号： | 201110110313.9 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102158190A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈化璋;刘建利;崔晓俊 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/68 | 分类号： | H03F3/68 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 吴艳;龙洪 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合体 功率放大器 及其 实现 方法 | ||
1.一种多合体功率放大器，包括载波功放电路和峰值功放电路，其特征在于，
所述峰值功放电路中设置有用于控制所述峰值功放电路中峰值功放导通的射频开关；
所述载波功放电路中的部分或全部载波功放是采用氮化镓（GaN）器件，所述峰值放大电路的部分或全部峰值功放是采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。
2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，
所述载波功放电路包括一路或多路载波功放支路，且每路载波功放支路中包括一级或多级载波功放；其中，所述末级载波功放采用GaN器件。
3.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，
所述峰值功放电路包括一路或多路峰值功放支路，且每路峰值功放支路中包括一级或多级峰值功放；其中，所述末级峰值功放采用LDMOS器件。
4.如权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，
所述峰值功放电路的每路峰值功放支路中均设置有所述射频开关。
5.如权利要求3或4所述的功率放大器，其特征在于，
所述峰值功放支路中包括多级峰值功放时，所述射频开关设置在推动级峰值功放与所述末级峰值功放之间，用于控制所述末级峰值功放的导通。
6.一种多合体功率放大器的实现方法，其特征在于，所述方法包括：
多合体（Doherty）功率放大器的峰值功放电路中设置有射频开关，通过该射频开关控制所述峰值功放电路中峰值功放的导通；
所述Doherty功率放大器的载波功放电路的部分或全部载波功放采用GaN器件，所述峰值放大电路的部分或全部峰值功放采用LDMOS器件。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，
所述载波功放电路包括一路或多路载波功放支路，且每路载波功放支路中包括一级或多级载波功放；其中，所述末级载波功放采用GaN器件。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，
所述峰值功放电路包括一路或多路峰值功放支路，且每路峰值功放支路中包括一级或多级峰值功放；其中，所述末级峰值功放采用LDMOS器件。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述峰值功放电路的每路峰值功放支路中均设置有所述射频开关；且
所述峰值功放支路中包括多级峰值功放时，所述射频开关设置在推动级峰值功放与所述末级峰值功放之间。
10.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，
所述射频开关用于控制所述峰值功放支路中末级峰值功放的导通。
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