[发明专利]一种湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法

权利要求书

1.一种湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法，其特征在于，在半导体集成电路后段铜制程中，完成介电质层等离子干法刻蚀后，进行第一湿法清洗，以去除干法刻蚀后的聚合物残留；进行第二湿法清洗，以去除侧壁损伤层。

2.根据权利要求1所述的湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法，其特征在于，所述第一湿法清洗所采用的清洗液为铜腐蚀液。

3.根据权利要求1所述的湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法，其特征在于，所述第二湿法清洗所采用的清洗液为稀氟氢酸。

4.根据权利要求3所述的湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法，其特征在于，所述稀氟氢酸的浓度范围是1：100~1：1000。

5.根据权利要求1所述的湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法，其特征在于，所述介电质层等离子干法刻蚀包括：在旋涂光刻胶，并进行光刻工艺形成通孔图形之后，进行第一干法蚀刻，以形成通孔，并移除光刻胶。

6.根据权利要求5所述的湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法，其特征在于，在所述第一干法刻蚀后，进行第一湿法清洗；并进行第二湿法清洗。

7.根据权利要求1所述的湿法清洗等离子体刻蚀残留方法，其特征在于，所述介电质层等离子干法刻蚀包括：在旋涂底部抗反射涂层，填充通孔，并旋涂光阻，光刻形成沟槽图形后的第二干法刻蚀。

8.根据权利要求7所述的湿法清洗等离子体刻蚀残留方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀包括：干法刻蚀形成沟槽，去除剩余光刻胶和底部抗反射涂层，刻蚀打开通孔。

9.根据权利要求8所述的湿法清洗等离子体刻蚀残留方法，其特征在于，在所述第二干法刻蚀之后，进行第一湿法清洗；并进行第二湿法清洗。