[发明专利]一种像素结构以及其驱动方法无效
申请号: | 201110110572.1 | 申请日: | 2011-04-29 |
公开(公告)号: | CN102184717A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 陈政鸿 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人: | 陈琳 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 及其 驱动 方法 | ||
1.一种像素结构,其包含第一扫描线、第二扫描线和数据线,其特征在于,所述像素结构还包含有:
一第一存储电容,具有一第一端以及一第二端,所述第一端耦接至一共通线;
一第二存储电容,具有一第一端以及一第二端,所述第一端耦接至所述共通线;
一第一晶体管,具有一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极,所述第一栅极耦接至一第一扫描线,所述第一源极和所述第一漏极分别耦接一数据线以及所述第一存储电容的所述第二端,以导通所述数据线以及所述第一存储电容;以及
一第二晶体管,具有一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极,所述第二栅极耦接至一第二扫描线,所述第二源极和所述第二漏极分别耦接至所述第一存储电容的所述第二端以及所述第二存储电容的所述第二端;
其中,所述第一晶体管于一第一时序导通,将所述数据线的电压存储于所述第一存储电容,以及所述第二晶体管于一第二时序导通,以将所述第二存储电容对所述第一存储电容进行放电。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:所述第一晶体管以及所述第二晶体管都是薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:所述第一时序与所述第二时序彼此互不重叠。
4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于:所述第一时序位于所述第二时序之前。
5.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:所述像素结构另包含有一液晶电容,其一端耦接至所述第一存储电容的所述第二端。
6.一种驱动方法,用来驱动一像素,其特征在于:
提供一种像素结构,该像素结构包括:第一扫描线、第二扫描线和数据线,通过一第一晶体管耦接至一数据线的第一存储电容;以及一端耦接至一共通线,另一端通过一第二晶体管耦接至所述第一存储电容的第二存储电容;
在第一时序,通过所述第一扫描线输出一扫描信号至所述第一晶体管,以将所述数据线所传送的电压存储至所述第一存储电容;以及
在第二时序,通过所述第二扫描线输出一扫描信号至所述第二晶体管,以使所述第一存储电容对所述第二存储电容进行放电。
7.根据权利要求6所述的驱动方法,其特征在于:所述第一时序与所述第二时序彼此互不重叠。
8.根据权利要求7所述的驱动方法,所述第一时序位于所述第二时序之前。
9.根据权利要求5所述的驱动方法,其特征在于:所述第一晶体管以及所述第二晶体管皆为薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的驱动方法,其特征在于:所述第一扫描线连接至所述第一晶体管的栅极,以及所述第二扫描线连接至所述第二晶体管的栅极。
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