[发明专利]功率用半导体装置

权利要求书

1. 一种功率用半导体装置，具有半导体衬底，并且，在所述半导体衬底的厚度方向流过电流，其特征在于，

所述半导体衬底具有电阻控制结构，该电阻控制结构以如下方式构成：针对所述电流的电阻在所述半导体衬底的中央部比所述半导体衬底的外周部高。

2. 如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底具有：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对，

所述第二半导体层的杂质浓度在所述中央部比所述外周部低，

所述电阻控制结构包括所述第二半导体层而构成。

3. 如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底具有：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对，

所述第二半导体层具有存在于所述外周部而不存在于所述中央部的形状，

所述电阻控制结构包括所述第二半导体层而构成。

4. 如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底具有：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对；寿命控制层，设置在所述第一半导体层内，并且，在所述厚度方向上与所述第二半导体层相面对，

所述寿命控制层的寿命扼杀剂浓度在所述中央部比所述外周部高，

所述电阻控制结构包括所述寿命控制层而构成。

5. 如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底具有：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对；寿命控制层，设置在所述第一半导体层内，并且，在所述厚度方向上与所述第二半导体层相面对，

所述寿命控制层具有存在于所述中央部而不存在于所述外周部的形状，

所述电阻控制结构包括所述寿命控制层而构成。

6. 如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底具有：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对；第一导电类型的缓冲层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并且，具有比所述第一半导体层高的杂质浓度，

所述缓冲层的杂质浓度在所述中央部比所述外周部高，

所述电阻控制结构包括所述缓冲层而构成。

7. 如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底具有：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对；第一导电类型的缓冲层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并且，具有比所述第一半导体层高的杂质浓度，

所述缓冲层具有存在于所述中央部而不存在于所述外周部的形状，

所述电阻控制结构包括所述缓冲层而构成。

8. 如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底具有：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对；第一导电类型的载流子蓄积层，在所述厚度方向上，在所述第二半导体层的相反侧与所述第一半导体层相面对，并且，具有比所述第一半导体层高的杂质浓度，

所述载流子蓄积层的杂质浓度在所述中央部比所述外周部低，

所述电阻控制结构包括所述载流子蓄积层而构成。

9. 如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底具有：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对；第一导电类型的载流子蓄积层，在所述厚度方向上，在所述第二半导体层的相反侧与所述第一半导体层相面对，并且，具有比所述第一半导体层高的杂质浓度，

所述载流子蓄积层具有存在于所述外周部而不存在于所述中央部的形状，

所述电阻控制结构包括所述载流子蓄积层而构成。