[发明专利]发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底一表面设置一碳纳米管层；

在设置有碳纳米管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；

在所述第二半导体层表面依次设置一反光层及第一电极；

去除所述基底以及碳纳米管层，形成所述发光二极管的出光面；

在所述第一半导体层表面设置一第二电极。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层为一连续的自支撑结构，所述碳纳米管层直接铺设在所述基底的表面与所述基底接触设置。

3.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管沿着同一方向择优取向延伸，且该多个碳纳米管的延伸方向平行于所述基底的表面。

4.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层为一包括多个碳纳米管以及添加材料的复合结构层。

5.如权利要求2所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层具有多个空隙，所述基底通过碳纳米管层的空隙部分暴露出来，所述第一半导体层从所述基底通过所述空隙暴露处外延生长，在所述碳纳米管层周围形成多个凹槽将所述碳纳米管层中的碳纳米管半包围。

6.如权利要求5所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述凹槽的最大宽度为20纳米～200纳米。

7.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述反光层覆盖所述第二半导体层的整个表面。

8.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述基底的去除方法包括激光照射法、腐蚀法以及温差分离法。

9.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层的生长方法为分子束外延法、化学束外延法、减压外延法、低温外延法、选择外延法、液相沉积外延法、金属有机气相外延法、超真空化学气相沉积法、氢化物气相外延法、以及金属有机化学气相沉积法中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层沿着基本垂直于所述外延生长面方向成核并外延生长形成多个外延晶粒；

所述多个外延晶粒沿着基本平行于所述外延生长面方向外延生长形成一连续的外延薄膜；以及

所述外延薄膜沿着基本垂直于所述外延生长面方向外延生长形成一第一半导体层。

11.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层的生长为异质外延生长。

12.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于所述第一半导体层沿着基本垂直于所述外延生长面方向成核并外延生长形成多个外延晶粒；

所述多个外延晶粒沿着基本平行于所述外延生长面方向外延生长形成一连续的外延薄膜；以及

所述外延薄膜沿着基本垂直于所述外延生长面方向外延生长形成一第一半导体层。

13.一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底的表面生长一缓冲层；

在所述缓冲层表面设置一碳纳米管层；

在设置有碳纳米管层的缓冲层表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；

在所述第二半导体层表面依次设置一反光层及第一电极；

去除所述基底，使所述碳纳米管层暴露形成一出光面；

在所述碳纳米管层表面设置一第二电极，使第二电极与所述碳纳米管层电连接。

14.一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底的表面生长一缓冲层及本征半导体层；

在所述本征半导体层表面设置一碳纳米管层；

在设置有碳纳米管层的本征半导体层表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；

在所述第二半导体层表面依次设置一反光层及第一电极；

去除所述基底、缓冲层及本征半导体层，使所述碳纳米管层暴露形成一出光面；

在所述碳纳米管层表面设置一第二电极，使第二电极与所述碳纳米管层电连接。