[发明专利]一种半导体功率器件

权利要求书

1.一种半导体功率器件, 其特征在于，包括：第一导电类型第一半导体层、设置于第一导电类型第一半导体层中的第二导电类型第一阱区，以及与所述第一阱区隔开的第二导电类型第二阱区；设置于第二导电类型第一阱区中的第一导电类型第一源区、设置于第二导电类型第二阱区中的第一导电类型第二源区；设置于第一导电类型第一半导体层上覆盖了部分阱区和部分源区的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的多晶硅层、设置于多晶硅层之上覆盖了部分源区和阱区的第二绝缘层，覆盖于第二绝缘层之上与阱区和源区连接的第一金属层、位于第一导电类型第一半导体层背面的第二导电类型第二半导体层，以及与第二导电类型第二半导体层连接的第二金属层，阱区的禁带宽度大于源区禁带宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，源区的电子亲和能大于阱区电子亲和能。

3.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的阱区禁带宽度为1eV到4eV，源区的禁带宽度为0.1eV到2eV。

4.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的第一导电类型第一半导体层为单层或多层。

5.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括于所述的第一导电类型第一半导体层中设置的环绕于阱区的第一导电类型阻挡层。

6.根据权利要求5所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的阻挡层环绕于阱区使第一导电类型第一半导体层与第一绝缘层接触。

7.根据权利要求5所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的阻挡层环绕于阱区将第一导电类型第一半导体层与第一绝缘层隔开。

8.根据权利要求5所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的第一导电类型阻挡层的禁带宽度大于第一导电类型第一半导体层的禁带宽度，第一导电类型阻挡层的电子亲和能小于第一导电类型第一半导体层的亲和能。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

10.根据权利要求1-8任意一项所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。