[发明专利]一种多赫蒂功放装置及功率放大方法无效
申请号: | 201110110872.X | 申请日: | 2011-04-29 |
公开(公告)号: | CN102158177A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 段斌;崔晓俊;陈化璋;刘建利 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/07 | 分类号: | H03F1/07 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李健;龙洪 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多赫蒂 功放 装置 功率 放大 方法 | ||
1.一种多赫蒂功放装置,包括峰值功放装置,其特征在于,
所述峰值功放装置,用于采用高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行信号功率放大。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,
多赫蒂功放装置还包括主功放装置;
所述主功放装置,用于采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件进行信号功率放大。
3.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于,
所述高电子迁移率晶体管(HEMT)器件是基于氮化镓(GaN)的器件。
4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,
所述高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件是基于砷化镓(GaAs)的器件。
5.一种功率放大方法,其特征在于,
在多赫蒂功放装置中,采用高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行信号功率放大。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,
采用高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件进行主功放装置信号功率放大。
7.如权利要求5或6所述的方法,其特征在于,
所述高电子迁移率晶体管(HEMT)器件是基于氮化镓(GaN)的器件。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,
所述高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件是基于砷化镓(GaAs)的器件。
9.如权利要求5所述的方法,其特征在于,
根据多赫蒂功放装置的功放参数选择所述高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。
10.如权利要求6所述的方法,其特征在于,
根据多赫蒂功放装置的功放参数选择所述高压异质结双极晶体管(HVHBT)器件。
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