[发明专利]一种功率放大管以及功率放大方法

权利要求书

1.一种功率放大管，应用于多赫蒂功放装置，所述功率放大管包括峰值功放器和主功放器，其特征在于，

所述峰值功放器和主功放器均集成所述功率放大管所在的同一封装；

所述功率放大管中峰值功放器和主功放器中的一个或多个放大器用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大，其它放大器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件进行信号功率放大。

2.如权利要求1所述的功率放大管，其特征在于，

所述功率放大管为双路结构放大管时，峰值功放器用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件并且主功放器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，或者，峰值功放器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件并且主功放器用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件。

3.如权利要求1所述的功率放大管，其特征在于，

所述功率放大管为多路结构放大管时，一个或多个峰值功放器用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件并且其它峰值功放器以及主功放器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，或者，主功放器用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件并且峰值功放器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，或者，主功放器以及一个或多个峰值功放器用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件并且其它峰值功放器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。

4.如权利要求1、2或3所述的功率放大管，其特征在于，

所述高电子迁移率晶体管（HEMT）器件是基于氮化镓（GaN）的器件。

5.一种功率放大方法，其特征在于，

将峰值功放器和主功放器集成功率放大管所在的同一封装；所述功率放大管的峰值功放器和主功放器中的一个或多个放大器采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大，其它放大器采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件进行信号功率放大。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述功率放大管为双路结构放大管时，峰值功放器采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件并且主功放器采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，或者，峰值功放器采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件并且主功放器采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述功率放大管为多路结构放大管时，一个或多个峰值功放器采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件并且其它峰值功放器以及主功放器采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，或者，主功放器采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件并且峰值功放器采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，或者，主功放器以及一个或多个峰值功放器采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件并且其它峰值功放器采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。

8.如权利要求5、6或7所述的方法，其特征在于，

所述高电子迁移率晶体管（HEMT）器件是基于氮化镓（GaN）的器件。

9.如权利要求5、6或7所述的方法，其特征在于，

根据功率放大管的功放参数选择所述高电子迁移率晶体管（HEMT）器件和所述横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。