[发明专利]液晶显示装置有效
| 申请号： | 201110111609.2 | 申请日： | 2008-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102184969A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 茅翊忞 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
栅电极；
形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜；
形成在所述栅极绝缘膜上的包括沟道形成区域的微晶半导体膜；
形成在所述微晶半导体膜的所述沟道形成区域上的沟道保护层；
形成在所述沟道保护层上的源区及漏区；以及
形成在所述源区及所述漏区上的源电极及漏电极，
绝缘膜形成在所述沟道保护层、所述源电极及所述漏电极上，
其中，形成为与所述栅电极重叠的所述微晶半导体膜的端部比所述栅电极的端部靠内侧。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括与所述源电极或所述漏电极电连接的像素电极。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层，并且
其中，所述缓冲层由非晶半导体膜形成。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层，并且
其中，所述缓冲层由包含氮的非晶半导体膜形成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层，并且
其中，所述缓冲层由包含氢的非晶半导体膜形成。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层，并且
其中，所述缓冲层由包含氟、氯、溴或碘的非晶半导体膜形成。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层，并且
其中，所述缓冲层由以大于或等于1×1020atoms/cm3和小于或等于15×1020atoms/cm3的总浓度包含氮、碳及氧的非晶半导体膜形成。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层，并且
其中，所述源区及所述漏区形成在所述缓冲层上。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述源区及所述漏区超出所述源电极及所述漏电极的边缘，
并且，彼此相对的所述源区及所述漏区的边缘之间的距离比彼此相对的所述源电极及所述漏电极的边缘之间的距离短。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层，并且
其中，所述缓冲层具有在10nm至50nm的范围内的厚度。
11.一种半导体装置，包括：
栅电极；
形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜；
形成在所述栅极绝缘膜上的包括沟道形成区域的微晶半导体膜；
形成在所述微晶半导体膜的所述沟道形成区域上的沟道保护层；
形成在所述沟道保护层上的源区及漏区；
形成在所述源区及所述漏区上的源电极及漏电极；以及
形成在所述沟道保护层、所述源电极及所述漏电极上的绝缘膜，
其中，所述源区及所述漏区超出所述源电极及所述漏电极的边缘，并且
其中，彼此相对的所述源区及所述漏区的边缘之间的距离比彼此相对的所述源电极及所述漏电极的边缘之间的距离短。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成在所述栅极绝缘膜上的像素电极，其中，所述像素电极与所述源电极或所述漏电极电连接。
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层，并且
其中，所述缓冲层由非晶半导体膜形成。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层，并且
其中，所述缓冲层由包含氮的非晶半导体膜形成。
15.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层，并且
其中，所述缓冲层由包含氢的非晶半导体膜形成。
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