[发明专利]功率放大装置及功放电路无效
| 申请号： | 201110111738.1 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102170269A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 崔晓俊;陈化璋;刘建利;安晋元 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/07 | 分类号： | H03F1/07;H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 田红娟;龙洪 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 放大 装置 功放 电路 | ||
1.一种功率放大装置，该装置包括一个或多个串联的推动级功放电路以及与最后一个推动级功放电路的输出端连接的末级功放电路，其特征在于：所述推动级功放电路和末级功放电路均采用Doherty电路结构，所述推动级功放电路均采用横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器和辅助(Peak)放大器，所述末级功放电路采用高电子迁移率晶体管(HEMT)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器和辅助(Peak)放大器。
2.一种功率放大装置，该装置包括一个或多个串联的推动级功放电路以及与最后一个推动级功放电路的输出端连接的末级功放电路，其特征在于：所述推动级功放电路和末级功放电路均采用Doherty电路结构，所述推动级功放电路和末级功放电路采用高电子迁移率晶体管(HEMT)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器和辅助(Peak)放大器。
3.一种功率放大装置的功放电路，其特征在于：所述功放电路采用Doherty电路结构，所述末级功放电路采用高电子迁移率晶体管(HEMT)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器和辅助(Peak)放大器。
4.如权利要求3所述的功放电路，其特征在于：所述功放电路是所述功率放大装置的推动级或末级。
5.一种功率放大装置的功放电路，其特征在于，所述功放电路包括：
功率分配子电路；
与所述功率分配子电路输出端连接的主放大器，所述主放大器采用高电子迁移率晶体管(HEMT)功放管实现；
至少一个与所述功率分配子电路输出端连接的辅助放大器，所述辅助放大器采用高电子迁移率晶体管(HEMT)功放管实现；
以及与所述主放大器、辅助放大器的输出端连接的功率合成子电路。
6.如权利要求5所述的功放电路，其特征在于：所述功放电路是所述功率放大装置的推动级或末级。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司，未经中兴通讯股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110111738.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
