[发明专利]具有电流引导结构的立式发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管LED，包括：

一金属基板；

一发光用LED堆迭，配置在该金属基板上，其中该LED堆迭包括一P型半导体层及一N型半导体层；

一N电极，配置在该N型半导体层上；

一保护元件，配置在该N型半导体层上；及

一导电材料，接设于该金属基板和该保护元件之间。

2.如权利要求1所述的LED，其中该保护元件包括ZnO、ZnS、TiO₂、NiO、SrTiO₃、SiO₂、Cr₂O₃、或聚甲基丙烯酸甲脂其中至少一者。

3.如权利要求1所述的LED，其中该保护元件的厚度范围是从1nm到10μm。

4.如权利要求1所述的LED，更包括一P电极，该P电极插设于该金属基板和该LED堆迭之间，其中该P电极包括第一和第二接触，该第一接触的电阻高于该第二接触的电阻。

5.如权利要求4所述的LED，其中该P电极包括一全向反射系统。

6.如权利要求1所述的LED，其中该导电材料包括多重金属层。

7.如权利要求1所述的LED，其中该导电材料包括Ni、Ag、Au、Al、Mo、Pt、W、W-Si、Ta、Ti、Hf、Ge、Mg、Zn、W/Au、Ta/Au、Pt/Au、Ti/Au、Ti/Al、Ti/Pt/Au、Ti/Ni/Au、Ta/Pt/Au、W-Si/Au、Cr/Au、Cr/Al、Ni/Au、Ni/Al、Cr/Ni/Au、Cr/W/Au、Cr/W-Si/Au、Cr/Pt/Au、AuGe、AuZn、ITO、或IZO其中至少一者。

8.如权利要求1所述的LED，更包括一电绝缘材料，介于该LED堆迭和该导电材料之间。

9.如权利要求8所述的LED，其中该绝缘材料包括SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、Al₂O₃、HfO₂、Ta₂O₅、旋转涂布玻璃、MgO、高分子、聚酰亚胺、光阻、聚对二甲苯基、SU-8、聚亚酰胺、聚对二甲苯、热塑性塑胶及热塑性塑胶其中至少一者。

10.如权利要求1所述的LED，更包括一焊接层，插设于该导电材料和该保护元件之间。

11.如权利要求10所述的LED，其中该导电材料为一线，接设于该金属基板和该焊接层之间。

12.如权利要求10所述的LED，其中该焊接层包括多重金属层。

13.如权利要求10所述的LED，其中该焊接层包括Ti/Au、Ti/Al、Ti/Pt/Au、Cr/Au、Cr/Al、Al、Au、Ni/Au、Ni/Al、或Cr/Ni/Au其中至少一者。

14.如权利要求10所述的LED，其中该焊接层的厚度范围是从0.5到10μm。

15.如权利要求1所述的LED，其中该N型半导体层的表面是经图案化或粗糙化的，以用来增加来自该LED的光提取。

16.一种发光二极管LED，包括：

一金属基板；

一P电极，配置在该金属基板上，且具有第一和第二接触，其中该第一接触的电阻高于第二接触；

一发光用LED堆迭，配置在该P电极上，其中该LED堆迭包括一连接到该P电极的P型半导体层及一N型半导体层；及

一N电极，配置在该N型半导体层上。

17.如权利要求16所述的LED，其中该第一接触包括一阻隔金属层。

18.如权利要求16所述的LED，其中该第一接触包括多重金属层。

19.如权利要求16所述的LED，其中该第一接触包括Pt、Ta、W、W-Si、Ni、Cr/Ni/Au、W/Au、Ta/Au、Ni/Au、Ti/Ni/Au、W-Si/Au、Cr/W/Au、Cr/W-Si/Au、Pt/Au、Cr/Pt/Au、或Ta/Pt/Au其中至少一者。