[发明专利]薄膜沉积设备、制造有机发光显示装置的方法及显示装置有效
申请号: | 201110112195.5 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN102286727A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 宋正培;崔凡洛;李相泌;宋泳录 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/54;C23C16/455;H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;王青芝 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 设备 制造 有机 发光 显示装置 方法 | ||
1.一种薄膜沉积设备,用于在基底上产生薄膜,所述薄膜沉积设备包括多个薄膜沉积组件,每个薄膜沉积组件包括:
沉积源,包括沉积材料,所述沉积源排放沉积材料;
沉积源喷嘴单元,布置在所述沉积源的一侧并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;
图案化缝隙片,与所述沉积源喷嘴单元相对地布置并具有沿所述第一方向布置的多个图案化狭缝;
阻挡板组件,包括沿所述第一方向布置的多个阻挡板,所述阻挡板组件布置在所述沉积源喷嘴单元和所述图案化缝隙片之间,所述阻挡板组件将所述沉积源喷嘴单元和所述图案化缝隙片之间的空间划分为多个子空间,
其中,所述薄膜沉积设备与所述基底分开一定的距离,所述薄膜沉积设备和所述基底能相对彼此移动,所述沉积材料包括产生薄膜的材料,所述薄膜选自于由红光发射层、绿光发射层、蓝光发射层和多个辅助层组成的组中。
2.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,至少一个沉积源包括用于形成布置在两个沉积源之间的辅助层的材料,所述沉积材料均包括用来形成蓝光发射层、绿光发射层和红光发射层的材料中的一种材料。
3.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,所述薄膜沉积组件的数量是至少五个,并且分别布置在至少五个薄膜沉积组件的沉积源内的沉积材料包括用来顺序地形成蓝光发射层、多个辅助层中的一个辅助层、绿光发射层、多个辅助层中的另一个辅助层和红光发射层的材料。
4.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,所述薄膜沉积组件的数量是至少五个,并且分别布置在至少五个薄膜沉积组件的沉积源内的沉积材料包括用来顺序地形成蓝光发射层、多个辅助层中的一个辅助层、红光发射层、多个辅助层中的另一个辅助层和绿光发射层的材料。
5.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,分别布置在多个薄膜沉积组件的沉积源内的沉积材料顺序地沉积在基底上。
6.如权利要求5所述的薄膜沉积设备,其中,用来形成辅助层的至少一种沉积材料被沉积在用来形成发射层的至少两种沉积材料之间。
7.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,薄膜沉积设备和基底中的一个与薄膜沉积设备和基底中的另一个沿平行于基底的表面的平面能相对彼此移动,沉积材料沉积在基底的所述表面上。
8.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,所述多个薄膜组件的图案化缝隙片比所述基底小。
9.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,多个薄膜沉积组件的沉积源的沉积温度被单独地控制。
10.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,每个薄膜沉积组件的阻挡板组件形成从沉积源排放的沉积材料的流动路径。
11.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,阻挡板沿与所述第一方向基本上垂直的第二方向延伸并将沉积源喷嘴单元与图案化缝隙片之间的空间划分为多个子沉积空间。
12.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,每个阻挡板组件包括:
第一阻挡板组件,包括多个第一阻挡板;
第二阻挡板组件,包括多个第二阻挡板。
13.如权利要求12所述的薄膜沉积设备,其中,第一阻挡板和第二阻挡板沿基本上垂直于所述第一方向的第二方向延伸并将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为多个子沉积空间。
14.一种薄膜沉积设备,用于在基底上产生薄膜,所述薄膜沉积设备包括多个薄膜沉积组件,每个薄膜沉积组件包括:
沉积源,包括沉积材料,所述沉积源排放所述沉积材料;
沉积源喷嘴单元,布置在所述沉积源的一侧并包括多个沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;
图案化缝隙片,与所述沉积源喷嘴单元相对地布置并具有沿垂直于所述第一方向的第二方向布置的多个图案化狭缝,
其中,在基底和薄膜沉积设备中的一个沿所述第一方向相对于基底和薄膜沉积设备中的另一个移动的同时执行沉积,所述沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片被一体地布置为一体,所述沉积材料包括用来产生薄膜的材料,所述薄膜选自于由红光发射层、绿光发射层、蓝光发射层和多个辅助层组成的组中。
15.如权利要求14所述的薄膜沉积设备,其中,所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元和所述图案化缝隙片通过连接构件被一体地布置为一体。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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