[发明专利]反射电极和光电元件无效
申请号: | 201110112240.7 | 申请日: | 2011-04-25 |
公开(公告)号: | CN102290452A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 林定植;朴成基;金在铉;金善万;李泰荣;金敏澈 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L33/36;H01L33/40 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;王金宝 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 电极 光电 元件 | ||
1.一种反射电极,包括:
多个导电材料层,与用作光电元件的光吸收层或活性层的半导体层电连接;和
至少一个金属膜,布置在所述多个导电材料层的相邻两个之间,
其中所述多个导电材料层由与所述半导体层的折射率相比具有较低折射率的导电材料形成;并且
与金属和所述半导体层的接触电阻相比,与所述半导体层直接接触的一个导电材料层由具有较低接触电阻的导电材料形成。
2.如权利要求1所述的反射电极,其中每个所述至少一个金属膜形成为具有比那些所述多个导电材料层薄的厚度。
3.如权利要求1所述的反射电极,其中每个所述至少一个金属膜具有2nm或以上并且小于50nm的厚度。
4.如权利要求1所述的反射电极,其中被所述多个导电材料层和至少一个金属膜之间的每个分界面反射的光量与经由所述半导体层透射的光量的比率对应于金属层的厚度。
5.如权利要求1所述的反射电极,其中被所述多个导电材料层和所述至少一个金属膜之间的每个分界面以预定反射率反射的光的波长范围对应于交替地多层的所述多个导电材料层和所述至少一个金属膜的总数。
6.如权利要求1所述的反射电极,其中多个导电材料层中的每个由ITO、GZO、ZnO、ZnS、GaN、InP、Si、包括Si的合金和Ge之一形成。
7.如权利要求1所述的反射电极,其中每个所述至少一个金属膜由Au、Ag、Cu、Al和Pt的一种金属形成或者由包括至少一种所述金属的合金形成。
8.一种光电元件,包括:
衬底,配置为从中透射光;
透明电极,形成在所述衬底上用于从中透射光;
光吸收层,形成在所述透明电极上用于通过吸收经由所述透明电极入射的光来产生光生载流子;和
反射电极,形成在所述光吸收层上用于向所述光吸收层反射经由所述光吸收层透射的光,
其中所述反射电极包括:多个导电材料层,与所述光吸收层接触以电连接;以及至少一个金属膜,布置在所述多个导电材料层的相邻两个之间,
此外其中所述多个导电材料层由与所述光吸收层的折射率相比具有较低折射率的导电材料形成;并且与金属和所述光吸收层的接触电阻相比,与所述光吸收层直接接触的一个导电材料层由具有较低接触电阻的导电材料形成。
9.如权利要求8所述的光电元件,其中如权利要求1所述的反射电极,其中每个所述至少一个金属膜形成为具有比那些所述多个导电材料层薄的厚度。
10.如权利要求8所述的光电元件,其中每个所述至少一个金属膜具有2nm或以上并且小于50nm的厚度。
11.如权利要求8所述的光电元件,其中由所述反射电极反射的光量与经由所述光吸收层透射的光量的比率对应于所述金属膜的厚度。
12.如权利要求8所述的光电元件,其中由所述反射电极以预定反射率反射的光的波长对应于所述多个导电材料层和所述至少一个金属膜的总数。
13.如权利要求8所述的光电元件,其中所述透明电极形成为具有凸凹图案的顶表面以散射经由所述衬底入射到所述光吸收层上的光;并且
所述反射电极形成为具有由所述透明电极的凸凹图案相应形成的预定图案的表面。
14.如权利要求8所述的光电元件,其中多个导电材料层中的每个由ITO、GZO、ZnO、ZnS、GaN、InP、Si、包括Si的合金和Ge之一形成。
15.如权利要求8所述的光电元件,其中每个所述至少一个金属膜由Au、Ag、Cu、Al和Pt的一种金属形成或者由包括至少一种所述金属的合金形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的