[发明专利]一种压变存储技术的NMOS器件制作方法

权利要求书

1.一种压变存储技术的NMOS器件制作方法，应用在具有硅衬底和NMOS器件的晶片上；在所述晶片器件面沉积第一氮化硅层，在所述晶片背面沉积第二氮化硅层，所述晶片尖峰退火后，其特征在于，该方法还包括：

所述第一氮化硅层上沉积第一二氧化硅层，所述第二氮化硅层上沉积第二二氧化硅层；

干法刻蚀去除所述第一二氧化硅层，露出第一氮化硅层；

湿法刻蚀去除所述第二氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积第一和第二二氧化硅层是在炉管中沉积，所述炉管中通入氧气，所述炉管中的温度范围是400到1150℃。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧气与氮气混合，所述氧气和氮气的体积比范围是1∶50到1∶1。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积第一、第二二氧化硅层的厚度范围是10埃到200埃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀对第一二氧化硅层和第一氮化硅层的刻蚀速率比范围是10∶1到20∶1。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀所用的刻蚀溶液是热磷酸溶液，所述热磷酸溶液的温度范围是100到250摄氏度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的时间范围是30秒到10分钟。