[发明专利]一种像素结构及其制造方法、显示装置无效
申请号: | 201110112770.1 | 申请日: | 2011-05-03 |
公开(公告)号: | CN102655161A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 杨国波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种像素结构,包括至少一个像素,所述像素位于上基板和下基板之间,每个所述像素包括红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素,其特征在于,
所述红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素的发光面积的比例关系与对应填充因子之间的比例关系成正比;
所述填充因子之间的比例关系是在所述红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素的使用寿命相等的情况下计算得到。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,各亚像素的电流密度和使用寿命的关系如下公式所示:
T=cId;
其中,T为所述亚像素的寿命,I为所述亚像素上的电流密度,c、d为常数。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述亚像素的电流密度和实际发光亮度之间的关系如下公式所示:
其中,I为所述亚像素上的电流密度,Y3为所述亚像素的实际发光亮度,a、b为常数。
4.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述亚像素的实际发光亮度与理论发光亮度之间的关系如下公式所述:
Y3=βY2
其中,β为所述亚像素的填充因子,Y2为所述亚像素的理论发光亮度,Y3为所述亚像素的实际发光亮度。
5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述亚像素的目标外部亮度与理论发光亮度之间的关系如下公式所述:
Y1=Y2η
其中,η为所述亚像素的光学转换因子,Y1为所述亚像素的目标外部亮度,Y2为所述亚像素的理论发光亮度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的