[发明专利]全溶液法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池无效
| 申请号： | 201110113090.1 | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102201495A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 钱磊;谢承智;张智恒;刘德昂;顾龙棣 | 申请（专利权）人： | 苏州瑞晟太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溶液 法制 备铜铟镓硒 cigs 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种全溶液法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，所述CIGS太阳能光电池包括，导电衬底；
CIGS活性层，该CIGS活性层制备在所述导电衬底上，主要作为吸光层；
n型半导体层，该n半导体层制作在所述CIGS活性层上，并与之形成pn结，可有效增大光生激子的解离和输出；
窗口层，该窗口层制作在所述n型半导体层用来保护所述N型半导体层；
透明电极层，该透明电极层制作在所述窗口层上；
采集电极，该采集电极制作在所述透明电极层上，具有采集光生光流的作用；
其特征在于，所述CIGS活性层通过溶液法制作在导电衬底上，厚度为0.1-10微米，最后在200-1000度的环境下高温退火形成CIGS的连续膜。
2.根据权利要求1所述的全溶液法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，其特征在于：所述溶液法包括旋涂法，喷涂法，糟模法。
3.根据权利要求1所述的全溶液法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，其特征在于：n型半导体层采用CBD或者真空沉积的方法制作在CIGS活性层上形成pn结，使光生激子解离和输出。
4.根据权利要求1所述的全溶液法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，其特征在于：所述窗口层的材料采用喷涂/旋涂/打印法将氧化锌纳米颗粒或者溶胶-凝胶溶液制作在n型半导体衬底上，厚度为10-1000纳米，最后在20-1000度的环境下高温退火，形成致密的ZnO薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
