[发明专利]TFT、包括TFT的阵列基板及制造TFT和阵列基板的方法

说明书

优先权的要求

本申请引用先前于2010年6月9日向韩国知识产权局递交并在那里适时分配的序列号为10-2010-0054504的申请，将该申请合并于此，并要求根据美国法典第35条第119条而产生的来自该申请的所有权益。

技术领域

本发明涉及容易实现大尺寸显示装置的薄膜晶体管(TFT)、包括TFT的阵列基板及其制造方法。

背景技术

诸如有机发光显示装置和液晶显示(LCD)装置之类的平板显示装置，被制造在形成有薄膜晶体管(TFT)、电容器以及包括用于连接TFT和电容器的配线的图案的基板上。TFT被用作切换通过布置在基板上的导线提供的信号的开关器件，以控制每个像素的操作，并且用作驱动像素的驱动器件。

一般而言，TFT包括有源层，有源层包括被掺有高浓度杂质的源区和漏区以及形成在源区与漏区之间的沟道区。另外，TFT包括与有源层绝缘并被安置为与沟道区对应的栅电极以及分别接触源区和漏区的源电极和漏电极。

发明内容

本发明的各方面提供容易实现大尺寸显示装置的薄膜晶体管(TFT)、包括该TFT的阵列基板及其制造方法。

根据本发明的一方面，提供一种薄膜晶体管(TFT)，包括：有源层，包括源区、漏区和沟道区，所述有源层包括多个掺杂区和至少一个非掺杂区；第一金属构件，被布置在所述有源层上以与所述源区和所述漏区中的每一个的部分对应；上绝缘层，被布置在所述第一金属构件上，所述上绝缘层被暴露所述第一金属构件的部分的一对接触孔穿透；栅电极，被布置为与所述有源层的沟道区对应；以及第二金属构件，用于将所述源区和所述漏区中的每一个电连接至外部元件。

所述有源层的与所述第一金属构件对应的部分可以是所述至少一个非掺杂区之一。所述有源层的与所述栅电极对应的部分可以是所述至少一个非掺杂区之一。所述第二金属构件可以接触所述第一金属构件的暴露部分，并且所述第二金属构件可以填充并覆盖所述接触孔中的每一个。所述第一金属构件可以包括钼(Mo)、钛(Ti)和Mo-Ti之一。所述第一金属构件可以包括与所述第二金属构件相同的材料。所述有源层可以包括多晶硅。所述栅电极可以包括：包括透明导电材料的第一栅电极；以及被布置在所述第一栅电极上的第二栅电极。

根据本发明的另一方面，提供一种包括薄膜晶体管(TFT)的显示装置的阵列基板，所述TFT包括：第一有源层，被布置在所述阵列基板上，所述第一有源层包括源区、漏区和沟道区，所述第一有源层包括多个掺杂区和至少一个非掺杂区；金属构件，在所述第一有源层上被布置在与所述源区和所述漏区中的每一个对应的位置处；上绝缘层，被布置在所述金属构件上，所述上绝缘层被暴露所述金属构件的部分的一对接触孔穿透；栅电极，被布置在与所述第一有源层的沟道区对应的位置处；以及源电极和漏电极，用于将所述源区和所述漏区中的每一个电连接到外部元件。

所述第一有源层的与所述金属构件对应的部分可以是所述至少一个非掺杂区域之一。所述第一有源层的与所述栅电极对应的部分可以是所述至少一个非掺杂区域之一。所述源电极和所述漏电极中的每一个可以接触所述金属构件的暴露部分中的对应暴露部分，并且其中所述源电极和所述漏电极中的每一个可以填充并覆盖所述接触孔中的对应接触孔。所述金属构件可以包括钼(Mo)、钛(Ti)和Mo-Ti合金之一。所述金属构件可以包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料。所述有源层可以包括多晶硅。所述栅电极可以包括：包括透明导电材料的第一栅电极；以及被布置在所述第一栅电极上的第二栅电极。所述阵列基板还可以包括电容器，该电容器包括：第二有源层，被布置在与所述第一有源层相同的层水平中；第一电极，被布置在所述第二有源层上并且被布置在与所述金属构件相同的层水平中；以及第二电极被布置为面对所述第一电极，所述第二电极包括与所述第一栅电极相同的材料。所述第一电极可以包括与所述金属构件相同的材料。所述阵列基板还可以包括像素电极，所述像素电极包括与所述第一栅电极相同的材料，所述像素电极可以被布置在与所述第一栅电极相同的层水平中。所述源电极和所述漏电极可以包括：包括透明导电材料的第一源电极和第一漏电极；以及被布置在所述第一源电极和所述第一漏电极上的第二源电极和第二漏电极。所述阵列基板还可以包括像素电极，所述像素电极包括与所述第一源电极和所述第一漏电极相同的材料。