[发明专利]一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺

权利要求书

1. 一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺，步骤包括：

①一次制绒 将硅片进行化学腐蚀去除晶体硅表面损伤层，然后进行湿法制绒及化学清洗；

②二次制绒及钝化 将上述硅片再经过反应离子刻蚀进行二次制绒；

③二次制绒后的硅片依次进行钝化、去除离子、扩散、边缘绝缘、去磷硅玻璃、氢钝化及沉积氮化硅膜、丝网印刷、烧结等步骤。

2. 根据权利要求1所述的一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺，其特征在于：步骤①中湿法制绒用的酸或者碱溶液浓度为1~15%。

3. 根据权利要求1所述的一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺，其特征在于：步骤②中反应离子刻蚀具体步骤为,采用含有氟离子和氧离子的反应离子刻蚀系统，反应条件为，气体：50~100sccm的 CF₄和5~10sccm的O₂；功率：100~300W；压力：10~100Pa；刻蚀时间:30~300 s。

4. 根据权利要求1所述的一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺，其特征在于：步骤③中硅片进行钝化，过程为反应离子刻蚀后，将硅片置于盛有1~10%氢氟酸中，反应时间30~100s，除去硅片表面上的氧化层并形成硅氢键的处理过程。

5. 根据权利要求1所述的一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺，其特征在于：步骤③中去除离子过程为将钝化后的硅片置于盛有5~20%的盐酸的溶液中，反应时间100~300s，去除残留在硅片表面上金属离子的清洗过程。

6. 根据权利要求1所述的一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺，其特征在于：步骤③中氢钝化时间是在300~1000s。