[发明专利]一种槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管

权利要求书

1.一种槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在下层为第一导电类型低电阻率层、上层为第一导电类型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个第一导电类型的高掺杂浓度的发射区，发射区的上面连接着第一导电类型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个发射区的周围有第二导电类型的基区，基区的侧下面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的第二导电类型的槽形栅区，每条槽的底面和侧面覆盖着绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面，栅区与栅极金属层相连，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：

所述两个相邻的槽形栅区的槽的距离为2--10μm：

所述两个相邻的槽形栅区互相交叠。

2.如权利要求1所述的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：所述槽的宽度大于2.0μm。

3.如权利要求1或2所述的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：所述槽形栅区的槽的侧面与表面的夹角大于60度。

4.如权利要求1或2所述的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：所述硅衬底片的第一导电类型的上层分为两层，靠上一层的电阻率高于下一层。

5.如权利要求3所述的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：所述硅衬底片的第一导电类型的上层分为两层，靠上一层的电阻率高于下一层。

6.如权利要求1或2所述的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：在所述第一导电类型和第二导电类型中，一个是P型，另一个是N型。

7.如权利要求3所述的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：在所述第一导电类型和第二导电类型中，一个是P型，另一个是N型。

8.如权利要求4所述的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：在所述第一导电类型和第二导电类型中，一个是P型，另一个是N型。

9.如权利要求5所述的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：在所述第一导电类型和第二导电类型中，一个是P型，另一个是N型。