[发明专利]多管组合曲率补偿低压带隙基准源

权利要求书

1.在多管组合曲率补偿低压带隙基准源，该带隙基准电压源含有多管组合曲率补偿低压电路；

其特征在于，包含如下元器件结构：

PMOS管(MPn)，该管的衬底和源极相连后接电源，栅极与NMOS管(N(2n))的漏极以及电阻(RPn)的一端相连，漏极为输出端(VREF)，该输出端经电阻R3、R4后与地相接；

PMOS管(P(2n-1))，该管的衬底和源极相连后接电源，栅极与NMOS管(M3)的漏极以及运放(A2)输出端相连，漏极接NMOS管N(2n-1)的漏极与栅极；

PMOS管(P(2n))，该管的衬底和源极相连后接电源，栅极与NMOS管(M3)的漏极以及运放(A2)输出端相连，漏极与电阻(RNn)的一端以及NMOS管(MNn)栅极相连；

NMOS管(MNn)，该管的衬底和源极相连后接地，栅极与PMOS管(P(2n))的漏极以及电阻(RNn)的一端相连，漏极与输出端(VREF)经电阻R3后的节点相连；

NMOS管(N(2n-1))，该管的衬底和源极相连后接地，栅极与NMOS管(N(2n))的栅极相连，漏极与PMOS管(P(2n-1))的漏极以及自身的栅极相连；

NMOS管(N(2n))，该管的衬底和源极相连后接地，栅极与NMOS管(N(2n-1))的栅极相连，漏极与电阻(RPn)的一端以及PMOS管(MPn)的栅极相连；

电阻(RPn)，一端接电源，另一端接PMOS管(MPn)的栅极以及NMOS管(N(2n))的漏极；

电阻(RNn)，一端接地，另一端接PMOS管(P(2n))的漏极以及NMOS管(MNn)的栅极；

其中n的值可随制造工艺的不同，选取大于0的任意正整数，即多管组合曲率补偿低压电路部分总的晶体管数量为6n个，电阻数量为2n个。