[发明专利]片上电感集总模型

权利要求书

1.一种片上电感集总模型，其特征在于，所述片上电感集总模型在传统单π模型的电感部分接入了并联的R₀和L₀，表征趋肤效应和邻近效应；在所述传统单π模型的衬底部分接入了并联的R_sub和C_sub，表征衬底的电磁损耗，使所述片上电感集总模型在自谐振频率范围内更加精确地模拟不同电感结构和不同衬底材料的片上螺旋电感。

2.根据权利要求1所述的片上电感集总模型，其特征在于，根据所述片上电感集总模型的连接方式，所述电感部分的串联电阻R(ω)和串联电感L(ω)分别由以下公式决定：

ω为电感元件工作角频率，当ω→0时，_DC=R₁，L_DC=L₁+L₀；当 ω→∞时，R_HF=R₁+R₀，L_HF=L₁；R_DC和L_DC表示低频下电感元件的串联电阻和串联电感，R_HF和L_HF表示高频下电感元件的串联电阻和串联电感；其中，R₁表示电感的低频串联电阻，L₁表示电感的高频串联电感。

3.根据权利要求1所述的片上电感集总模型，其特征在于，R_sub和C_sub代表衬底损耗对所述片上螺旋电感的影响，基于具有不同衬底的所述片上螺旋电感，R_sub和C_sub具有不同的值。

4.根据权利要求1所述的片上电感集总模型，其特征在于，所述电感部分还包括与R₁、L₁及R₀和L₀并联连接的C_s，C_s表示电感线圈内部间的边缘电容；所述电感部分和所述衬底部分通过_ox1和C_ox2连接，_ox1和C_ox2表示所述电感部分和所述衬底部分间的耦合电容，其中两个端口非对称，_ox1≠C_ox2。

5.根据权利要求1所述的片上电感集总模型，其特征在于，所述衬底部分包括两个分支，各分支包括并联连接的R_si和C_si，R_si和C_si分别表示所述衬底部分的电阻和电容，所述两个分支中的R_si为相同值，所述两个分支中的C_si为相同值。