[发明专利]低阻抗发光二极管结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管，尤其涉及低阻抗发光二极管的结构与制作方法。

背景技术

请参阅图1所示，其为传统蓝光发光二极管的结构，其为在一蓝宝石基板1上成长一发光层2，该发光层2包含一N型氮化镓层3、一活化层4与一P型氮化镓层5，并于该N型氮化镓层3与该P型氮化镓层5上分别镀上一N型电极6与一P型电极7后，即形成发光二极管结构。

且已知该P型电极7与该P型氮化镓层5之间通常会设置一欧姆接触层8，藉以降低接触电阻。然而无可避免的，该欧姆接触层8与该P型电极7之间仍容易产生萧基位障，导致接触电阻的增加，而有元件特性不佳(如低发光效率、高前向压降(forward Voltage))等问题。

又已知镀上该P型电极7的方式，多半使用低成本的溅镀，溅镀为利用等离子体的正离子轰击金属靶材表面，金属靶材表面的原子将被射入的正离子所撞击出来，向外溅射朝材料方向运动，进行金属薄膜沉积。此种方式等离子体的正离子会对于该发光层2的P型氮化镓层5造成损害，而降低该发光层2的发光效率。

发明内容

于是，本发明的主要目的在于披露一种可以降低发光二极管电性阻抗的结构与方法。

本发明的次要目的在于披露一种可以保护发光层于溅镀制程不受离子破坏的结构与方法

基于上述目的，本发明为一种低阻抗发光二极管结构，其包含一基板、一发光层、一欧姆接触层、一低阻抗接触层与一电极层，其中该发光层形成于该基板之上，该欧姆接触层形成于该发光层上，而该低阻抗接触层形成于该欧姆接触层之上，且该低阻抗接触层的厚度为3埃-20埃，并且该电极层形成于该低阻抗接触层之上。

而本发明低阻抗发光二极管结构的制作方法，其步骤包含于该基板上依序形成该发光层与该欧姆接触层，再于该欧姆接触层形成该厚度在3埃～20埃的低阻抗接触层，最后于该低阻抗接触层上形成该电极层。

据此，本发明的优点在于，可通过该低阻抗接触层提供载子，而使该欧姆接触层与该电极层之间不产生萧基位障，其可以增加该欧姆接触层的作用以降低接触阻抗，同时该低阻抗接触层的存在，可以保护该发光层在溅镀的制程中，不受到溅射离子的破坏，因此本发明可形成低阻抗发光二极管结构，而增加发光效率。

附图说明

图1为已知发光二极管结构断面图。

图2为本发明发光二极管结构断面图。

图3为本发明另一发光二极管结构断面图。

图4A为本发明发光二极管结构制作流程图一。

图4B为本发明发光二极管结构制作流程图二。

图4C为本发明发光二极管结构制作流程图三。

图5为本发明溅镀沉积电极层示意图。

具体实施方式

有关本发明的详细内容及技术说明，现以实施例来作进一步说明，但应了解的是，该等实施例仅为例示说明之用，而不应被解释为本发明实施的限制。

请参阅图2所示，本发明为一种低阻抗发光二极管结构，其包含一基板10、一发光层20、一欧姆接触层30、一低阻抗接触层40与一电极层50，其中该发光层20形成于该基板10之上，该基板10可以为选自蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氮化铝与氮化镓的任一种。

而该欧姆接触层30形成于该发光层20上，该发光层20可以包含一N型半导体层21、一活化层22与一P型半导体层23，同时该N型半导体层21形成于该基板10上，该活化层22形成于该N型半导体层21上，该P型半导体层23形成于该活化层22上，且该欧姆接触层30形成于该P型半导体层23上。

又该N型半导体层21与该P型半导体层23可以为选自氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)、磷化镓(GaP)、磷化铝铟镓(AlInGaP)、磷化铝铟(AlInP)与砷化铝镓(AlGaAs)的任一种制成。该活化层22可以为氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)、磷化镓(GaP)、磷化铝铟镓(AlInGaP)、磷化铝铟(AlInP)与砷化铝镓(AlGaAs)中任一种的量子阱(Quantum Well)搭配阻挡层(Barrier)的周期性结构。