[发明专利]一种常压固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种固相烧结微孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括如下步骤：

1)以SiC粉体、B₄C粉体、球形PMMA和酚醛树脂为原料，其中，以SiC粉体和B₄C粉体的总重量为基准计，B₄C占0.1～1％；球形PMMA为SiC粉体和B₄C粉体总重量的0.5～5.5％，酚醛树脂为SiC粉体和B₄C粉体总重量的10-30％；

2)将所述原料配成固含量为40-45wt％的浆料，进行球磨混合；

3)将球磨混合后的浆料烘干，再研磨粉碎后过筛，将得到的粉体干压成型；

4)将成型后的样品真空脱粘后，在常压惰性气氛条件下烧结，烧结温度为1900-2300℃，保温时间为1-2h。

2.如权利要求1所述的固相烧结微孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述SiC粉体的粒径为0.1～1μm。

3.如权利要求1所述的固相烧结微孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述球磨混合以SiC球作为研磨球。

4.如权利要求1所述的固相烧结微孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述干压成型的压力为15-100MPa。

5.如权利要求1所述的固相烧结微孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤3)中，于所述干压成型后还进行等静压处理。

6.如权利要求1-5中任一所述的固相烧结微孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述等静压的压力为190-210MPa。

7.一种微孔碳化硅陶瓷，由权利要求1-6中任一所述的固相烧结微孔碳化硅陶瓷的制备方法制得。

8.如权利要求7所述的微孔碳化硅陶瓷，其特征在于，所述碳化硅陶瓷的密度为2.90-3.08gcm^-3，抗弯强度为250-450Mpa。