[发明专利]一种无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜，其特征是：所述无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜由聚碳酸酯树脂基材、阻燃体系、改性剂和其他助剂配比而成，所述聚碳酸酯树脂基材的含量至少为总量的50wt%，所述阻燃体系的含量为总量的15.01-44wt%，所述改性剂的含量为总量的0-3wt%，所述其他助剂为热-氧化稳定剂和UV稳定剂，其含量分别占总量0-1wt%和0-2wt%。

2.根据权利要求1所述的无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜，其特征是：所述聚碳酸酯树脂基材的粘均分子量通常为10000至100000。

3.根据权利要求1所述的无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜，其特征是：所述聚碳酸酯树脂基材为能使用光气法或使用酯交换法制备的聚合物，在所述的光气法中使用各种二羟基二芳基化合物和光气反应，在所述酯交换中使二羟基二芳基化合物和如碳酸二苯酯等的碳酸酯反应。

4.根据权利要求1所述的无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜，其特征是：所述阻燃体系采用三聚氰胺氰尿酸酯、有机硅系阻燃化合物、无机阻燃协效剂、有机阻燃协效剂四种组分单一使用或者多种混合而成。

5.根据权利要求4所述的无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜，其特征是：所述三聚氰胺氰尿酸酯的含量为总量的15-35wt%。

6.根据权利要求4所述的无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜，其特征是：所述有机硅系阻燃化合物的骨架基七上包含Si-O-Si键、Si-O-B键和B-O-B键，分子中的芳环直接键合在硅原子上，所述有机硅系阻燃化合物的含量为总量的0.01-2wt%。

7.根据权利要求6所述的无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜，其特征是：所述有机硅系阻燃化合物平均分子量为3000至100000。

8.根据权利要求4所述的无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜，其特征是：所述无机阻燃协效剂的含量为总量的0-5wt%。

9.根据权利要求4所述的无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜，其特征是：所述有机阻燃协效剂的含量为总量的0-2wt%。

10.一种根据权利要求1所述的无卤无磷耐高温阻燃聚碳酸酯薄膜的制备方法，其特征是：所述制备方法如下：a、将聚碳酸酯树脂基材、阻燃体系、改性剂和其他助剂按比例机械预混合，b、将混合好的原料放入双螺杆挤出机中熔融共混挤出，c、冷却切粒。