[发明专利]Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声方法有效
| 申请号： | 201110115067.6 | 申请日： | 2011-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102419782A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 黄景丰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gummel poon 模型 实现 射频 相关性 噪声 方法 | ||
1.一种Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声方法，其特征在于，在所述Gummel Poon模型的基极串联第一噪声源，在集电极串联第二噪声源，在发射极串联第三噪声源，在基极并联第四噪声源，在集电极并联第五噪声源和第六噪声源；所述第一、第二和第三噪声源为噪声电压源，第一噪声源模拟基极寄生电阻产生的热噪声，第二噪声源模拟集电极寄生电阻产生的热噪声，第三噪声源模拟发射极寄生电阻产生的热噪声；所述第四、第五和第六噪声源为噪声电流源，第四噪声源模拟基极电流产生的散弹噪声，第五和第六噪声源模拟集电极电流产生的散弹噪声。
2.根据权利要求1所述的Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声方法，其特征在于，所述第一噪声源产生的噪声大小为4kTRb，所述第二噪声源产生的噪声大小为4kTRc，所述第三噪声源产生的噪声大小为4kTRe，其中 为玻尔兹曼常数，为绝对温度，Rb为基极寄生电阻的阻值，Rc为集电极寄生电阻的阻值，Re为发射极寄生电阻的阻值。
3.根据权利要求1所述的Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声方法，其特征在于，所述第四噪声源产生的噪声大小为2qIb，其中q为单位电荷，Ib为基极电流。
4.根据权利要求1所述的Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声方法，其特征在于，所述第五噪声源产生的噪声大小为，其中q为单位电荷，Ib为基极电流，为电流增益，为频率，为噪声渡越时间。
5.根据权利要求1所述的Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声方法，其特征在于，所述第六噪声源产生的噪声大小为，其中q为单位电荷，为电流增益，为频率，为噪声渡越时间，为集电极电流。
6.根据权利要求4或5所述的Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声方法，其特征在于，所述的噪声渡越时间，其取值范围为。
7.根据权利要求1所述的Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声方法，其特征在于，所述第一、第二、第三和第六噪声源为独立的噪声源，即为完全不相关的噪声源；所述第四和第五噪声源为相关噪声源。
8.根据权利要求7所述的Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声方法，其特征在于，所述第四和第五噪声源包含有相同噪声成分，该相同噪声成分由同一个噪声源产生，即定义一个虚拟噪声源，产生的噪声大小为，将噪声源4、5的噪声值中的由该虚拟噪声源替代。
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