[发明专利]调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其包括如下步骤：

步骤1：取一衬底；

步骤2：在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层；

步骤3：在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层，以硅烷作为n型掺杂剂；

步骤4：在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层；

步骤5：采用刻蚀的方法，在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中，使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面；

步骤6：在n型接触层的台面上制作负电极；在p型接触层的上面制作正电极，完成氮化镓系发光二极管的制作。

2.如权利要求1所述的调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其中n型电流扩展层为多周期结构，每一周期包括：一铟镓氮薄层和在其上制作的一铝铟镓氮薄层，该n型电流扩展层的最上面再制作一层铟镓氮薄层。

3.如权利要求1所述的调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其中活性发光层为多周期结构，每一周期包括：一铟镓氮薄层和在其上制作的一铝铟镓氮薄层，该活性发光层的最上面再制作一层铟镓氮薄层。

4.如权利要求3所述的调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其中活性发光层的周期数为3-20。

5.如权利要求2所述的调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其中n型电流扩展层的周期数为3-20。

6.如权利要求3所述的调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其中该铝铟镓氮薄层为n型调制掺杂。

7.如权利要求3所述的调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其中该铝铟镓氮薄层掺杂为调制掺杂，调制掺杂的方式为梯形、三角形、台阶状或者非对称掺杂，掺杂剂为硅烷作为n型掺杂剂，掺杂浓度为5×10²¹-1×10¹⁷。

8.如权利要求1所述的调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其中n型接触层是采用等浓度掺杂，或采用调制掺杂的方法，调制掺杂的方式为梯形、三角形、台阶状或者非对称掺杂。