[发明专利]一种除去金属硅中的磷杂质的方法无效
| 申请号： | 201110115885.6 | 申请日： | 2011-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102145892A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 曹国喜;蒋元力;单继周;贾金才;丁建础;张秀全;王占修;徐才华;张建平 | 申请（专利权）人： | 河南煤业化工集团研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 郑州科维专利代理有限公司 41102 | 代理人： | 马忠 |
| 地址： | 450000 河南省郑州*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 除去 金属硅 中的 杂质 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种除去金属硅中的磷杂质的方法，其特征在于,具体制备方法步骤如下：
（1）将金属硅置于感应炉中，在氮气气氛下于1470～1490℃熔化；
（2）将一定体积比的二氧化硅和碳酸锂于1440～1460℃在另一个坩埚中熔化，二氧化硅和碳酸锂的体积比为1.1:1～1:1.2；
（3）将熔化好的二氧化硅－碳酸锂混合物直接倒入硅液中，30分钟后停炉，
冷却后，硅与渣自然分离；
（4）将得到的硅破碎，进一步粉碎至70～80微米；
（5）用1:6的HF酸与HCl进行浸泡15～30小时；
（6）重复步骤（1）～（5），进行二次造渣和酸洗；
（7）将得到的硅进行重熔和定向凝固，金属硅中杂质磷含量可降低到0.1ppm以下，其它金属含量总和小于0.1ppm。
2.如权利要求1所述的一种除去金属硅中的磷杂质的方法，其特征在于：用于太阳能级多晶硅的制造。
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