[发明专利]一种发光二极管的开路保护器有效
| 申请号： | 201110116127.6 | 申请日： | 2011-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102291876A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;张金平 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H05B37/02 | 分类号： | H05B37/02;H02H7/20;H01L27/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 开路 保护 | ||
1.一种发光二极管的开路保护器，包括一个IGBT器件、一个齐纳二极管(D或24)和一个电阻(R或23)；其特征在于，齐纳二极管(D或24)的阳极与IGBT器件的阳极电位相连，齐纳二极管(D或24)的阴极与IGBT器件的栅极相连，电阻(R或23)连接于IGBT器件的栅极和阴极之间。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的开路保护器，其特征在于，所述IGBT器件是平面型或沟槽型IGBT器件，其阳极结构是电场终止结构、透明阳极结构或短路阳极结构。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管的开路保护器，其特征在于，所述IGBT器件、齐纳二极管(D或24)和电阻(R或23)集成于同一芯片上，构成集成发光二极管开路保护器。
4.根据权利要求3所述的发光二极管的开路保护器，其特征在于，所述IGBT器件包括P+衬底(12)、P+衬底(12)背面的金属化阳极(11)、P+衬底(12)正面的N-漂移区(13)、N-漂移区(13)中的P-基区(14)、并排位于P-基区(14)中且与金属化阴极(22)相连的第一N+接触区(15)和P+接触区(16)、覆盖P-基区(14)表面的栅氧化层(17)、覆盖栅氧化层(17)表面的多晶硅栅电极(18)、位于多晶硅栅电极(18)和金属化阴极(22)之间的绝缘介质(19)；远离P-基区(14)的N-漂移区(13)中具有将金属化阳极电位引到器件表面的第二N+接触区(20)，第二N+接触区(20)的表面是金属层(21)，多晶硅栅电极(18)延伸至金属化阴极(22)和第二N+接触区(20)表面的金属层(21)之间以便于器件连接用；所述齐纳二极管(D或24)的阳极与IGBT器件的第二N+接触区(20)表面的金属层(21)相连。
5.根据权利要求4所述的发光二极管的开路保护器，其特征在于，所述P+衬底(12)的半导体材料是硅、碳化硅、砷化镓或者氮化镓。
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