[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造、修复方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示领域，特别涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造、修复方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching，AD-SDS)通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平面方向，即平行于基板的方向产生旋转转换，在增大视角的同时提高液晶层的透光效率。

现有技术中的AD-SDS型TFT-LCD阵列基板一般包括以下六层：形成在玻璃基板上的第一氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，ITO)层，也叫第一透明导电薄膜；形成在第一ITO层之上的栅层，栅层主要用于实现栅线和公共电极线以及栅电极和公共电极；形成在栅层之上并覆盖整个第一ITO层的第一绝缘层以及形成在第一绝缘层之上的源漏电极层；第二绝缘层形成在源漏电极层上并覆盖整个第一绝缘层，在第二绝缘层上开设过孔，像素电极形成在第二绝缘层上，并通过第二绝缘层上的过孔与源漏电极层中的漏电极连接；第二ITO层形成在第二绝缘层之上。这样，这六层结构就构成了TFT显示所需的栅线、数据线、公共电极线、像素电极、公共电极以及TFT晶体管。像素电极和公共电极组成电容，形成水平电场，使液晶分子有规律的进行偏转，而TFT晶体管就是这个电容充放电的开关，栅线和数据线则为开关的开启提供电压，具体的，栅线用于提供TFT显示所需的行扫描信号，数据线用于提供TFT显示所需的源信号，公共电极线用于为第一ITO层提供电压。

在现有技术的阵列基板中，像素是TFT显示的基本单元，一般由R、G、B三个亚像素组成，如果亚像素发生异常就会造成亮点或暗点，而由于AD-SDS技术采用的是常黑模式，因此亮点会对终端显示造成严重的品质影响，为了降低这种影响，通常采用明点暗点化的修复方法。但是，目前针对AD-SDS模式的阵列基板并没有很好的明点暗点化的修复方法，由此可以看出，现有技术中的阵列基板在出现亮点时不易修复。

发明内容

本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造、修复方法，用以解决现有技术中的阵列基板在出现亮点时不易修复的问题。

一种TFT-LCD阵列基板，包括：

第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜，位于第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的栅层、源漏电极层和位于栅层和源漏电极层之间的栅绝缘层，其特征在于，在栅层和/或源漏电极层上设置像素镭射图形。

一种显示装置，包括上述的TFT-LCD阵列基板。

一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括：

在基板上沉积一层第一透明导电薄膜；

在沉积了第一透明导电薄膜的基板上沉积金属薄膜形成栅层；

连续沉积栅绝缘层，所述栅绝缘层形成在基板上并覆盖所述第一透明导电薄膜和所述栅层；

在所述栅绝缘层上沉积金属薄膜形成源漏电极层，其中，在栅层和/或源漏电极层上设置像素镭射图形；

沉积第二透明导电薄膜。

一种修复上述的TFT-LCD阵列基板的方法，包括：

确定所述阵列基板上出现亮点的像素；

确定所述像素所在的第一透明导电薄膜上对应像素镭射图形的位置；

在所述位置采用激光熔接技术，将第一透明导电薄膜穿过所述像素镭射图形和第二透明导电薄膜相连接。

本发明实施例中通过在源漏电极层和/或栅层上设置像素镭射图形，使得在阵列基板出现亮点需要修复时，可以采用激光熔接技术通过该像素镭射图形将第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜相连，由于第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜都较薄，且中间相隔栅绝缘层和钝化层，这两层不导电且厚度较厚，在镭射时不易熔接，因此，通过在源漏电极层增加一个由导电金属构成的像素镭射图形，使得第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间可以实现熔接，从而使得第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的水平电场接近为零，从而使得液晶不发生偏转，进而使像素暗点化，得以修复亮点。

附图说明

图1为本发明一个实施例中栅层结构图；

图2为本发明一个实施例中源漏电极层结构图；

图3为本发明一个实施例中钝化层结构图；

图4为本发明一个实施例中阵列基板整体结构图；