[发明专利]SRAM单元、SRAM存储器

权利要求书

1.一种SRAM单元，包括至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管，其特征在于，还包括：

电压调整单元，用于在所述SRAM单元待机时，将所述PMOS晶体管所在的衬底电压降低为SRAM单元工作电压的0.7～0.9倍，在所述SRAM单元读/写操作时，所述PMOS晶体管所在的衬底电压为SRAM单元的工作电压。

2.如权利要求1所述的SRAM单元，其特征在于，所述SRAM单元为4T型SRAM单元，包括：

第一PMOS晶体管，栅极与字线电连接，源极与第一位线电连接；

第二PMOS晶体管，栅极与字线电连接，源极与第二位线电连接；

第一NMOS晶体管，栅极与所述第二PMOS晶体管的漏极电连接，源极接地；

第二NMOS晶体管，栅极与所述第一PMOS晶体管的漏极电连接，源极接地，漏极与第一NMOS晶体管的源极接地，所述第二NMOS晶体管的栅极与第一PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的漏极形成第一存储节点，所述第二NMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的漏极形成第二存储节点，

所述第一PMOS晶体管和/或第二PMOS晶体管的衬底在所述SRAM单元处于待机时的电压为SRAM单元工作电压的0.7～0.9倍，所述第一PMOS晶体管和/或第二PMOS晶体管的衬底在所述SRAM单元在所述SRAM单元处于读/写操作时的电压为SRAM单元的工作电压。

3.如权利要求1所述的SRAM单元，其特征在于，所述电压调整单元包括：

第一电压源，电压值等于所述SRAM单元工作电压；

第二电压源，电压值等于所述SRAM单元工作电压的0.7～0.9倍；

第一控制开关，一端与所述PMOS晶体管的衬底电连接，另一端与所述第一电压源电连接，所述第一控制开关在所述SRAM单元读/写操作时闭合，在所述SRAM单元读/写操作时断开；

第二控制开关，一端与所述PMOS晶体管的衬底电连接，另一端与所述第二电压源电连接，所述第二控制开关的状态与所述第一控制开关的状态相反。

4.如权利要求1所述的SRAM单元，其特征在于，所述电压调整单元包括：电源，所述电源电压值等于所述SRAM单元工作电压；

可变电阻，一端与所述PMOS晶体管的衬底电连接，另一端与所述电源电连接，所述可变电阻用于改变电阻值以调整所述PMOS晶体管的衬底上的电压，使得在所述SRAM单元处于读/写操作时，所述PMOS晶体管的衬底上的电压等于SRAM单元工作电压，在所述SRAM单元处于待机状态时，所述PMOS晶体管的衬底电压等于所述SRAM单元工作电压的0.7～0.9倍。

5.一种包括如权利要求1所述的SRAM单元的SRAM存储器。