[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110117450.5 | 申请日： | 2011-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102779748A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 孟晓莹;周俊卿;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
将半导体衬底送入灰化室，所述半导体衬底上形成有栅极、栅极侧壁氮化硅偏移间隔物或栅极侧壁氮化硅间隔物，所述半导体衬底上残留有光致抗蚀剂；
将包含氘气的混合气体或包含氚气的混合气体引入到所述灰化室，通过等离子化的所述混合气体对所述光致抗蚀剂进行灰化。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述包含氘气的混合气体为包含氘气和氮气的混合气体、或包含氘气和惰性气体的混合气体；所述包含氚气的混合气体为包含氚气和氮气的混合气体、或包含氚气和惰性气体的混合气体。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氘气在所述包含氘气的混合气体中的体积比率为1%-20%，所述氚气在所述包含氚气的混合气体中的体积比率为1%-20%。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述包含氘气的混合气体或所述包含氚气的混合气体中还包括氧气。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧气在所述包含氘气的混合气体或所述包含氚气的混合气体中的体积比率为1％-50%。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，灰化的温度为150-300℃，压力为300毫托至2托，所述氘气或氚气的体积流速为500-10000sccm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底上形成有栅极、栅极侧壁氮化硅偏移间隔物，在将半导体衬底送入灰化室的步骤之前包括步骤：
在所述半导体衬底上形成栅极；
在所述半导体衬底上沉积氮化硅层；
蚀刻所述氮化硅层以形成所述栅极侧壁氮化硅偏移间隔物；
在所述半导体衬底上涂敷光致抗蚀剂层；
形成轻掺杂漏极光致抗蚀剂图案；
进行轻掺杂漏极注入。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述轻掺杂漏极注入为高剂量注入。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底上形成有栅极、栅极侧壁氮化硅间隔物，在将半导体衬底送入灰化室之前包括步骤：
在所述半导体衬底上形成栅极；
进行轻掺杂漏极注入；
在所述半导体衬底上沉积氮化硅层；
蚀刻所述氮化硅层以形成位于所述栅极侧壁氮化硅间隔物；
在所述半导体衬底上涂敷光致抗蚀剂层；
形成光致抗蚀剂图案；
对所述半导体衬底进行源或漏极注入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
